[發明專利]一種寬帶低噪聲放大器

有效

• 申請號: 201310023713.5
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN103944518B
• 公開（公告）日: 2017-02-08
• 發明（設計）人: 牟鵬飛;楊洪文;閻躍鵬
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 王寶筠

技術領域

本發明涉及通信技術領域，更具體的說是涉及一種寬帶低噪聲放大器。

背景技術

低噪聲放大器（Low-Noise?Amplifier，LNA）作為射頻前段的關鍵模塊，是通信系統設備中的基本部件，寬帶低噪聲放大器更是組成收發機芯片和下變頻芯片的關鍵部件。目前，傳統寬帶低噪聲放大器主要采用平衡式、分布式或電容電感匹配來實現，但是由于其體積大、功耗高，因此難以適應現代無線通信系統發展的要求。

隨著單片微波集成電路（Monolithic?Microwave?Integrated?Circuit，簡稱MMIC）技術的迅猛發展，出現了射頻單片寬帶低噪聲放大器，射頻單片寬帶低噪聲放大器是采用MMIC技術制得的寬帶低噪聲放大器，此類寬帶低噪聲放大器比較常見的有平衡式寬帶低噪聲放大器和反饋式寬帶低噪聲放大器等，此類寬帶低噪聲放大器具有高增益、低噪聲、高隔離度、高線性度和易于使用等特點，從而代替了傳統寬帶低噪聲放大器應用于現代無線通信系統中。

但發明人發現，無論上述哪種寬帶低噪聲放大器在電路制作完成后均沒有可調節性。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種寬帶低噪聲放大器，以解決現有技術中寬帶低噪聲放大器在電路制作完成后不可調節的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種寬帶低噪聲放大器，包括與所述寬帶低噪聲放大器的信號輸入端相連的電調電路，所述電調電路包括：第一晶體管，所述第一晶體管的輸出端與所述寬帶低噪聲放大器的信號輸入端相連，所述第一晶體管的輸入端和控制端相連，并接收控制電壓。

優選地，所述電調電路還包括第一電阻，所述第一電阻的一端與所述第一晶體管的控制端相連，另一端與所述第一晶體管的輸入端相連，所述第一晶體管的輸入端接收控制電壓。

優選地，所述寬帶低噪聲放大器為并聯反饋的兩級射頻放大器，包括第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻；

第二晶體管的控制端與所述第一晶體管的輸出端相連，作為兩級射頻放大器的信號輸入端；

所述第二晶體管的控制端與所述第二電阻的一端相連，所述第二電阻的另一端同時與所述第五電阻的一端相連，所述第五電阻的另一端與所述第四晶體管的輸出端相連；所述第二電阻與所述第五電阻的公共端與所述第四電阻的一端相連，所述第四電阻的另一端與所述第四晶體管的控制端相連；

所述第二晶體管的輸出端接地；

所述第二晶體管的輸入端、所述第三晶體管的控制端、輸入端以及所述第四晶體管的輸入端均與電源相連；

所述第三晶體管的控制端與所述第三電阻的一端相連，所述第三電阻的另一端與所述第三晶體管的輸入端相連；

所述第三晶體管的輸出端與所述第四晶體管的控制端相連；

所述第四晶體管的輸入端作為兩級射頻放大器的信號輸出端將信號輸出。

優選地，還包括源端反饋電路，所述源端反饋電路包括第一阻抗網絡和第二阻抗網絡；

所述第一阻抗網絡的一端與所述第二晶體管的輸出端相連，另一端接地；

所述第二阻抗網絡的一端與所述第四晶體管的輸出端相連，另一端接地。

優選地，所述第一阻抗網絡和第二阻抗網絡均為電阻電容并聯網絡。

優選地，所述第一晶體管為場效應管或NPN三極管。

優選地，所述第二晶體管為場效應管或NPN三極管。

優選地，所述第三晶體管為場效應管或NPN三極管。

優選地，所述第四晶體管為場效應管或NPN三極管

經由上述的技術方案可知，本發明提供的寬帶低噪聲放大器包括電調電路，所述電調電路與所述寬帶低噪聲放大器的信號輸入端相連，通過改變電調電路接收的控制電壓的大小，調節所述寬帶低噪聲放大器的輸入匹配電路和控制所述低噪聲放大器的輸入阻抗，從而降低寬帶低噪聲放大器的噪聲系數，增大低噪聲放大器的增益，達到寬帶低噪聲放大器在電路制作完成后仍可調節的效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明提供的一種寬帶低噪聲放大器結構示意圖；

圖2為本發明提供的另一種寬帶低噪聲放大器結構示意圖；