[發(fā)明專利]一種寬帶低噪聲放大器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310023713.5 | 申請日： | 2013-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN103944518B | 公開（公告）日： | 2017-02-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 牟鵬飛;楊洪文;閻躍鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 寬帶 低噪聲放大器 | ||
1.一種寬帶低噪聲放大器，其特征在于，包括與所述寬帶低噪聲放大器的信號輸入端相連的電調電路，所述電調電路包括：第一晶體管，所述第一晶體管的輸出端與所述寬帶低噪聲放大器的信號輸入端相連，所述第一晶體管的輸入端和控制端相連，并接收控制電壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述電調電路還包括第一電阻，所述第一電阻的一端與所述第一晶體管的控制端相連，另一端與所述第一晶體管的輸入端相連，所述第一晶體管的輸入端接收控制電壓。
3.根據(jù)權利要求2所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述寬帶低噪聲放大器為并聯(lián)反饋的兩級射頻放大器，包括第二晶體管、第三晶體管、第四晶體管、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻；
第二晶體管的控制端與所述第一晶體管的輸出端相連，作為兩級射頻放大器的信號輸入端；
所述第二晶體管的控制端與所述第二電阻的一端相連，所述第二電阻的另一端同時與所述第五電阻的一端相連，所述第五電阻的另一端與所述第四晶體管的輸出端相連；所述第二電阻與所述第五電阻的公共端與所述第四電阻的一端相連，所述第四電阻的另一端與所述第四晶體管的控制端相連；
所述第二晶體管的輸出端接地；
所述第二晶體管的輸入端、所述第三晶體管的控制端、輸入端以及所述第四晶體管的輸入端均與電源相連；
所述第三晶體管的控制端與所述第三電阻的一端相連，所述第三電阻的另一端與所述第三晶體管的輸入端相連；
所述第三晶體管的輸出端與所述第四晶體管的控制端相連；
所述第四晶體管的輸入端作為兩級射頻放大器的信號輸出端將信號輸出。
4.根據(jù)權利要求3所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，還包括源端反饋電路，所述源端反饋電路包括第一阻抗網絡和第二阻抗網絡；
所述第一阻抗網絡的一端與所述第二晶體管的輸出端相連，另一端接地；
所述第二阻抗網絡的一端與所述第四晶體管的輸出端相連，另一端接地。
5.根據(jù)權利要求4所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述第一阻抗網絡和第二阻抗網絡均為電阻電容并聯(lián)網絡。
6.根據(jù)權利要求1所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述第一晶體管為場效應管或NPN三極管。
7.根據(jù)權利要求3-5任意一項所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述第二晶體管為場效應管或NPN三極管。
8.根據(jù)權利要求3-5任意一項所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述第三晶體管為場效應管或NPN三極管。
9.根據(jù)權利要求3-5任意一項所述的寬帶低噪聲放大器，其特征在于，所述第四晶體管為場效應管或NPN三極管。
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