[發明專利]一種提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法無效
| 申請號: | 201310023681.9 | 申請日: | 2013-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103121858A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 李賀軍;褚衍輝;彭晗;李露;付前剛;李克智 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | C04B41/87 | 分類號: | C04B41/87 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710072 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 復合材料 自身 連接 性能 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,具體涉及一種在C/C復合材料與其自身之間原位合成SiC納米線增強陶瓷連接層的方法以提高其連接性能的制備方法。?
背景技術
C/C復合材料具有高比強度、高溫性能好等特點,是理想的高溫熱結構材料。但由于該材料的氣化溫度超過3000°C,故不能采用傳統的熔化方法進行焊接;此外,由于機械連接需要在該材料上打孔,不可避免會對該材料的微觀結構造成破壞,同時螺栓和孔洞等邊角位置容易發生應力集中現象,這會導致構件整體強度變低。故C/C復合材料的連接通常需要引入中間連接層,降低連接溫度。然而,中間連接層本身力學性能及界面結合是限制C/C復合材料與其自身連接性能的主要問題。?
文獻“The?reinforcing?mechanism?of?carbon?fiber?in?composite?adhesive?for?bonding?carbon/carbon?composites,Yunfeng?Zhang,Ruiying?Luo,Jiangsong?Zhang,Qiao?Xiang,Journal?of?Materials?Processing?Technology211(2011)167~173”公開了一種采用料漿法、熱壓法以及熱處理相結合的三步技術在C/C復合材料之間制備出碳纖維增強的復合粘膠劑連接層,該技術可通過調整碳纖維的含量實現對連接層的最佳增強效果,但由于碳纖維在連接層中易團聚,分散不均勻,使增強效果受限;此外,摻雜的碳纖維只能單方面的提高連接層自身的力學性能,而在改善連接層與C/C基體之間的界面結合方面所起效果甚微,因此大大限制了C/C復合材料與其自身的連接性能,如當碳纖維體積含量為6%時獲得的剪切強度最高僅為11.38MPa。?
發明內容
要解決的技術問題?
為了避免現有技術的不足之處,本發明提出一種提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,克服現技術制備的連接層與C/C之間的界面結合差以及在連接層中引入的增強相分散性差等因素,提高C/C與其自身之間的連接性能。?
技術方案?
一種提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,其特征在于步驟如下:?
步驟1:將C/C復合材料清洗后,放入烘箱中烘干;?
步驟2:將質量百分比為70~85%的Si粉,5~15%的SiC粉,7~15%的C粉和3~10%的Al2O3粉,置于聚四氟乙烯球磨罐中,球磨混合處理2~4h得到混合的粉料;?
步驟3:將粉料覆蓋入石墨坩堝中,再放入烘干的C/C復合材料,再在C/C復合材料上覆蓋粉料;?
步驟4:將石墨坩堝放入高溫反應燒結爐中,以5~10°C/min升溫速度將爐溫從室溫升至2000~2200°C,保溫1~3h;隨后關閉電源自然冷卻至室溫,全程Ar氣保護,得到硅基陶瓷改性的C/C復合材料;?
步驟5:采用石墨紙包裹步驟4制備的硅基陶瓷改性的C/C復合材料,放入高溫反應燒結爐中,以5~10°C/min升溫速度將爐溫從室溫升至1400~1600°C,保溫1~3h;關閉電源自然冷卻至室溫,全程Ar氣保護,得到表面帶有SiC納米線多孔層的硅基陶瓷改性的C/C復合材料;?
步驟6:將質量百分比為10~20%的MgO粉,20~30%的Al2O3粉,45~55%的SiO2粉,1~5%的BaO粉,1~5%的B2O3粉,1~5%的TiO2粉和1~5%的SbO3粉置于聚四氟乙烯球磨罐中,混合球磨2~4h后,裝入氧化鋁坩堝中置于1550~1650℃氧化爐中保溫2~4h,取出水淬,得到鎂鋁硅MAS玻璃塊;再將得到的MAS玻璃塊破碎并置于聚四氟乙烯球磨罐中球磨8~12h后,過篩得到粒度為300目的鎂鋁硅粉末;?
步驟7:將鎂鋁硅粉末與酒精混合形成鎂鋁硅料漿,將鎂鋁硅料漿平鋪于兩層帶?有SiC納米線多孔層的硅基陶瓷改性的C/C復合材料之間,再置于熱壓模具中,并置于真空熱壓爐中;?
步驟8:以5~15℃/min升溫速度將爐溫從室溫升至1100~1300℃后,保溫20~40min并加載5~7KPa壓力,卸壓后關閉電源自然冷卻至室溫,得到采用陶瓷連接層連接的C/C復合材料。?
所述的Si粉的純度為99.5%、粒度為300目。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西北工業大學,未經西北工業大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310023681.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





