[發明專利]一種提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法無效
| 申請號: | 201310023681.9 | 申請日: | 2013-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN103121858A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 李賀軍;褚衍輝;彭晗;李露;付前剛;李克智 | 申請(專利權)人: | 西北工業大學 |
| 主分類號: | C04B41/87 | 分類號: | C04B41/87 |
| 代理公司: | 西北工業大學專利中心 61204 | 代理人: | 王鮮凱 |
| 地址: | 710072 *** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 提高 復合材料 自身 連接 性能 方法 | ||
1.一種提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,其特征在于步驟如下:?
步驟1:將C/C復合材料清洗后,放入烘箱中烘干;?
步驟2:將質量百分比為70~85%的Si粉,5~15%的SiC粉,7~15%的C粉和3~10%的Al2O3粉,置于聚四氟乙烯球磨罐中,球磨混合處理2~4h得到混合的粉料;?
步驟3:將粉料覆蓋入石墨坩堝中,再放入烘干的C/C復合材料,再在C/C復合材料上覆蓋粉料;?
步驟4:將石墨坩堝放入高溫反應燒結爐中,以5~10°C/min升溫速度將爐溫從室溫升至2000~2200°C,保溫1~3h;隨后關閉電源自然冷卻至室溫,全程Ar氣保護,得到硅基陶瓷改性的C/C復合材料;?
步驟5:采用石墨紙包裹步驟4制備的硅基陶瓷改性的C/C復合材料,放入高溫反應燒結爐中,以5~10°C/min升溫速度將爐溫從室溫升至1400~1600°C,保溫1~3h;關閉電源自然冷卻至室溫,全程Ar氣保護,得到表面帶有SiC納米線多孔層的硅基陶瓷改性的C/C復合材料;?
步驟6:將質量百分比為10~20%的MgO粉,20~30%的Al2O3粉,45~55%的SiO2粉,1~5%的BaO粉,1~5%的B2O3粉,1~5%的TiO2粉和1~5%的SbO3粉置于聚四氟乙烯球磨罐中,混合球磨2~4h后,裝入氧化鋁坩堝中置于1550~1650℃氧化爐中保溫2~4h,取出水淬,得到鎂鋁硅MAS玻璃塊;再將得到的MAS玻璃塊破碎并置于聚四氟乙烯球磨罐中球磨8~12h后,過篩得到粒度為300目的鎂鋁硅粉末;?
步驟7:將鎂鋁硅粉末與酒精混合形成鎂鋁硅料漿,將鎂鋁硅料漿平鋪于兩層帶有SiC納米線多孔層的硅基陶瓷改性的C/C復合材料之間,再置于熱壓模具中,并置于真空熱壓爐中;?
步驟8:以5~15℃/min升溫速度將爐溫從室溫升至1100~1300℃后,保溫20~40min并加載5~7KPa壓力,卸壓后關閉電源自然冷卻至室溫,得到采用陶瓷連接層?連接的C/C復合材料。?
2.根據權利要求1所述提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,其特征在于:所述的Si粉的純度為99.5%、粒度為300目。?
3.根據權利要求1所述提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,其特征在于:所述的C粉的純度為99%,粒度為320目。?
4.根據權利要求1所述提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,其特征在于:所述的SiC粉的純度為98.5%、粒度為300目。?
5.根據權利要求1所述提高碳/碳復合材料與自身連接性能的方法,其特征在于:所述的SiO2粉、Al2O3粉、MgO粉、BaO粉、B2O3粉、TiO2粉或SbO3粉的純度均為分析純、粒度為300目。?
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