[發明專利]淺溝槽隔離結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201310022495.3
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN103943621B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發明（設計）人: 劉恩銓;曹博昭;梁家瑞;吳家榮
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L21/762
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種淺溝槽隔離結構，包含：

上絕緣部與下絕緣部，位于一基底的一溝槽中，其中該下絕緣部包含第一絕緣體以及位于該第一絕緣體的周壁及底面的一絕緣層，該第一絕緣體的頂面與該絕緣層的頂面為共平面，該上絕緣部包含第二絕緣體以及位于該第二絕緣體的周壁及底面的一緩沖層，部分的該緩沖層中介于該第一絕緣體與該第二絕緣體之間，且該緩沖層的外周壁與該第一絕緣體的周壁齊平，其中該基底上包含掩模層，該緩沖層的外周壁低于周圍的該掩模層的頂面且高于該掩模層的底面。

2.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構，其中該第一絕緣體與該第二絕緣體的材質為氧化硅。

3.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構，其中該緩沖層的材質包含氮化硅、或氮碳化硅。

4.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構，其中該淺溝槽隔離結構為鰭狀場效晶體管之間的隔離結構。

5.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構，其中該上絕緣部的頂面高于周遭的該基底。

6.如權利要求1所述的淺溝槽隔離結構，其中該基底上還包含墊氧化層。

7.一種淺溝槽隔離結構，包含：

上絕緣部與下絕緣部，位于一基底的一溝槽中，其中該下絕緣部包含第一絕緣體以及位于該第一絕緣體的周壁及底面的一絕緣層，該第一絕緣體的頂面與該絕緣層的頂面為共平面，且相鄰的該淺溝槽隔離結構的該絕緣層相結合成一共同絕緣層，該上絕緣部包含第二絕緣體以及位于該第二絕緣體的周壁的一緩沖層，該第一絕緣體與該第二絕緣體相接，且該緩沖層的外側壁與該第一絕緣體的周壁齊平。

8.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構，其中該緩沖層的材質包含氮化硅、或氮碳化硅。

9.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構，其中該第一絕緣體與該第二絕緣體的材質為氧化硅。

10.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構，其中該淺溝槽隔離結構為鰭狀場效晶體管之間的隔離結構。

11.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構，其中該上絕緣部的頂面高于周遭的該基底。

12.如權利要求7所述的淺溝槽隔離結構，其中該基底上還包含墊氧化層以及掩模層。

13.一種形成淺溝槽隔離結構的方法，其包含下列步驟：

在一基底中形成一溝槽；

在該溝槽的下部中填入一第一絕緣層并在該溝槽的上部界定出一凹部；

在該凹部的側壁及底面上形成一緩沖層；

在該凹部中填入一第二絕緣層；以及

進行一蒸汽退火制作工藝使得該第一絕緣層周圍的該基底轉變為一氧化層。

14.如權利要求13所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其中該第一絕緣層以一流體化學氣相沉積制作工藝填入該溝槽中。

15.如權利要求13所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，還包含對該第一絕緣層進行一化學機械研磨制作工藝及/或一回蝕刻制作工藝以界定出該凹部。

16.如權利要求13所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，還包含對該第二絕緣層進行一化學機械研磨制作工藝及/或一回蝕刻制作工藝使得該第二絕緣層的頂面低于周遭的該基底。

17.如權利要求13所述的形成淺溝槽隔離結構的方法，其中在該凹部的側壁和底面上形成該緩沖層的步驟包含：

在該凹部中共形地形成該緩沖層。