[發明專利]晶片堆迭構造及其制造方法

無效

• 申請號: 201310021658.6
• 申請日: 2013-01-22
• 公開（公告）號: CN103137611A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 王琇如;許哲銘;唐和明
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種晶片堆迭構造，其特征在于：所述晶片堆迭構造包含︰

一基板，包含一基板表面，所述基板表面具有多個第一導電端子；

一下晶片，所述下晶片包含一下晶片第一表面及一下晶片第二表面，其中所述下晶片第一表面面對所述基板表面及所述下晶片第二表面遠離所述基板，所述下晶片第一表面具有數個第二導電端子，所述下晶片第二表面具有數個下第三導電端子，其中所述下晶片的第二導電端子電性連接所述基板的第一導電端子；

一下底部填充膠，設置在所述基板與下晶片之間且包覆所述第二導電端子；

一上晶片，所述上晶片包含一上晶片表面，其中所述上晶片表面具有數個第四導電端子，其中所述上晶片的第四導電端子電性連接所述下晶片第二表面的第三導電端子；

數個第一接合膠塊，設置在所述下晶片與上晶片之間及所述上晶片的數個角隅處且分別接合所述下晶片與所述上晶片；及

一上底部填充膠，設置在所述下晶片與上晶片之間且包覆所述第四導電端子及所述第一接合膠塊。

2.如權利要求1所述的晶片堆迭構造，其特征在于：所述第一接合膠塊包覆至少一個所述第四導電端子。

3.如權利要求1所述的晶片堆迭構造，其特征在于：所述第二電端子及第四電端子為銅柱凸塊或錫凸塊。

4.如權利要求1所述的晶片堆迭構造，其特征在于：所述第一接合膠塊為非導電膠膜或非導電性粘著劑。

5.如權利要求1所述的晶片堆迭構造，其特征在于：所述晶片堆迭構造還包含數個第二接合膠塊，設置在所述基板與所述下晶片之間的數個角隅處且分別接合于所述基板與所述下晶片。

6.一種晶片堆迭構造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步驟︰提供一具有一下晶片的基板，所述下晶片位于所述基板之上，所述下晶片包含一下晶片第一表面及一下晶片第二表面，其中所述下晶片第一表面面對所述基板及所述下晶片第二表面遠離所述基板，所述下晶片第二表面具有數個下第三導電端子；

將數個第一接合膠塊設置在所述下晶片上；

提供一上晶片，所述上晶片包含一上晶片表面；其中所述上晶片表面具有數個第四導電端子；

將所述上晶片設置在所述下晶片上，使所述第一接合膠塊分別接合于所述上晶片底面的數個角隅處；

提供一能量，使所述第一接合膠塊產生固化；

熱壓所述上晶片，使所述下晶片的第三導電端子與所述上晶片的第四導電端子焊接結合在所述上晶片與下晶片之間；及

在所述上晶片與下晶片之間填充一上底部填充膠。

7.如權利要求6所述的晶片堆迭構造的制造方法，其特征在于：在填充所述下底部填充膠的步驟之前，所述制造方法還包含步驟︰

將數個第二接合膠塊設置在所述基板上；

將所述下晶片設置在所述基板上，使所述第二接合膠塊分別接合于所述下晶片底面的數個角隅處；

提供另一能量，使所述第二接合膠塊產生固化，并使包覆在所述第二接合膠塊內的數個第二導電端子先焊接結合在所述下晶片與基板之間；及

熱壓所述下晶片，使所述下晶片數個第二導電端子焊接結合在所述下晶片與基板之間。

8.如權利要求6所述的晶片堆迭構造的制造方法，其特征在于：在所述能量于所述上晶片之前，預先對所述上晶片頂面施予一向下壓力。

9.如權利要求7所述的晶片堆迭構造的制造方法，其特征在于：在所述另一能量于所述下晶片之前，預先對所述下晶片頂面施予一向下壓力。

10.如權利要求6或7所述的晶片堆迭構造的制造方法，其特征在于：所述能量為紅外線光源。