[發明專利]BGA的樹脂塞孔電鍍焊盤用曝光定位結構及其使用方法

無效

• 申請號: 201310021442.X
• 申請日: 2013-01-21
• 公開（公告）號: CN103096644A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 李澤清
• 申請（專利權）人: 競陸電子（昆山）有限公司
• 主分類號: H05K3/40
• 分類號: H05K3/40
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

技術領域

本發明涉及一種印刷線路板用曝光定位結構及其使用方法，尤其涉及一種BGA的樹脂塞孔電鍍焊盤用曝光定位結構及其使用方法。

背景技術

BGA（Ball?Grid?Array，即球柵陣列封裝）技術是一種集成電路的表面貼裝型封裝技術，其通過在基板的背面按陣列排布制作出球形凸點來代替傳統的引線，使得半導體裝置的集成度更高、性能更好。BGA封裝技術會顯著增加電子器件的I/O引腳數、減小焊盤間距，進而縮小封裝件的尺寸、節省封裝的占位空間，從而使PC芯片組、微處理器等高密度、高性能、多引腳封裝器件的微型化成為可能。隨著封裝技術和產品多樣化需求的不斷加深，高速度、低成本、小尺寸、優秀的電性能是其重要的發展趨勢。而BGA為實現各層之間的電氣連接或用作器件的固定，通常會在印刷線路板上開設過孔，從過孔設計及BGA制作工作流程的角度來講，過孔一般由中間的鉆孔和鉆孔周圍的孔環組成。BGA的過孔設計及制造工藝流程中，部分過孔一般需要采用阻焊層覆蓋起來，防止板材在插裝元件后過波峰焊時流錫或防止焊接時助焊劑殘留孔內。

當前制作工藝流程中，通常選用的方式為采用環氧樹脂填塞鉆孔后進行沉銅電鍍，這樣在填塞于鉆孔中的樹脂表面及孔環表面均鍍有金屬銅層，然后貼覆阻焊干膜并進行曝光顯影，以便將鉆孔及孔環用阻焊干膜遮蓋起來，使其在后續蝕刻過程中免受蝕刻液的腐蝕。且當前曝光對位方法均以板內未填塞樹脂的通孔上干膜是否顯影干凈來作為檢驗標準，且在檢測過程中均采用人工檢測方式。

上述方式中，由于電鍍后填塞樹脂的過孔鉆孔和孔環表面及過孔周圍均鍍有銅層，從而無法對填塞樹脂的過孔位置進行精確定位，使得貼覆阻焊干膜后進行曝光時不易使菲林片上相應曝光區域與填塞樹脂的過孔對位精確，且由于該區域上干膜經曝光固化后不能顯影除去，因此即便顯影后仍不能判斷被干膜覆蓋的區域是否與以樹脂塞孔的過孔區域完全重合，而僅有等到后續的蝕刻工藝完成后，通過觀察成品焊盤附近是否有過孔區域（主要是填塞鉆孔用的樹脂）露出，才能判斷曝光時是否定位精準，且由于通常孔環寬度小于鉆孔孔徑，蝕刻后所得成品BGA的焊盤極易偏出當初設計BGA焊盤范圍，導致該板材報廢，因此在實際生產中因曝光對位不精準而浪費了大量板材及人工。上述現象當過孔孔徑較大且為不塞孔時（尤其孔環寬度較大，如≥5mil），BGA的pad偏移度相對較小；但當過孔孔徑較小且進行塞孔時（尤其孔環寬度較小，如≤1.5mil），BGA的pad偏移量相對很大（如圖1和圖2所示）。

發明內容

為了克服上述技術缺陷，本發明提供了一種BGA的樹脂塞孔電鍍焊盤用曝光定位結構及其使用方法，使用該曝光定位結構能夠精確實現菲林片上對應板內過孔區域處的曝光區與覆蓋于鍍銅層下的過孔間的定位，且將該定位是否準確的檢測提前至顯影工藝的結束，能夠配合自動光學檢測系統使用，大大減少了板材的廢棄率，提高了檢測效率。

本發明為了解決上述技術問題所采用的技術方案是：

一種BGA的樹脂塞孔電鍍焊盤用曝光定位結構，包括具有工藝板邊的多連板基板，該多連板基板上設有若干以樹脂塞孔的過孔，所述工藝板邊上開設有若干通孔型過孔，該通孔型過孔中未填塞樹脂。

本發明還提供了一種所述BGA的樹脂塞孔電鍍焊盤用曝光定位結構的使用方法，包括以下步驟：

（1）設有一菲林片，該菲林片上對應所述通孔型過孔處為非曝光區域，且該菲林片上對應樹脂塞孔的過孔處為曝光區域，將菲林片上對應通孔型過孔的非曝光區域對準所述工藝板邊上的通孔型過孔，并按照設定曝光能量進行曝光操作；

（2）將經（1）處理后的多連板基板1采用顯影液對阻焊干膜進行顯影；

（3）設有一自動光學檢測系統，將經（2）處理后的多連板基板采用該自動光學檢測系統進行光學掃描，判斷所述通孔型過孔上的阻焊干膜是否被完全除去。

本發明的有益技術效果為：該曝光定位結構在多連接基板的工藝板邊上開設有若干未以樹脂塞孔的通孔型過孔，在使用時在曝光時將菲林片上對應該通孔型過孔區域處的非曝光區與該通孔型過孔間準確定位，在顯影工序結束后，通過與自動光學檢測系統配合使用，掃描檢測是否在工藝板邊的通孔型過孔處有顯影不凈的情況，來判斷菲林片上對應板內過孔區域處的曝光區與板內過孔間的定位精準，且該定位結構的使用將是否定位準確的檢測提前至顯影工藝的結束，能夠配合自動光學檢測系統使用，大大減少了板材的廢棄率，提高了檢測效率。

附圖說明

圖1為現有技術中樹脂塞孔的過孔曝光定位結構在經顯影過程后的示意圖；