[發明專利]半導體激光裝置有效
| 申請號： | 201310019591.2 | 申請日： | 2013-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN103227410B | 公開（公告）日： | 2018-07-27 |
| 發明（設計）人： | 岡久英一郎 | 申請（專利權）人： | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號： | H01S5/022 | 分類號： | H01S5/022;H01S5/024 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 雒運樸 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 激光 裝置 | ||
1.一種半導體激光裝置，其具備半導體激光元件、載置所述半導體激光元件的載置體、以及與所述載置體連接的基體，所述半導體激光裝置的特征在于，
所述基體具有與所述載置體嵌合的凹部和將所述凹部的底部的一部分貫通的貫通部，
所述底部中的除了所述貫通部之外的剩余部分的厚度為所述基體的最大厚度的一半以下，
所述載置體的最下表面通過隔著所述剩余部分而相對于所述基體的最下表面離開，
所述載置體含有銅作為主成分，
所述載置體與所述基體通過焊料而連接。
2.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，
所述半導體激光元件為多模的半導體激光元件且由氮化物半導體構成。
3.根據權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，
從上方觀察時，所述貫通部相對于所述底部的周緣離開而形成。
4.根據權利要求2所述的半導體激光裝置，其特征在于，
從上方觀察時，所述貫通部相對于所述底部的周緣離開而形成。
5.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體激光裝置，其特征在于，
所述剩余部分的厚度為所述基體的最大厚度的5％以上且30％以下。
6.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體激光裝置，其特征在于，
從上方觀察時，所述貫通部的面積為所述底部的面積的5％以上且50％以下。
7.根據權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，
從上方觀察時，所述貫通部的面積為所述底部的面積的5％以上且50％以下。
8.根據權利要求1～4中任一項所述的半導體激光裝置，其特征在于，
所述基體含有鐵作為主成分。
9.根據權利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，
所述基體含有鐵作為主成分。
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