[發(fā)明專利]晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310018710.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-17 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103943522A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳孟端 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 正恩科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01N21/84 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 余剛;李靜 |
| 地址: | 中國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 晶圓未斷 檢測(cè) 分區(qū) 判斷 方法 | ||
1.一種晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法,用于判斷一晶圓進(jìn)行劈裂后所述晶圓是否斷開,所述分區(qū)判斷方法通過(guò)一圖像采集器于所述晶圓劈裂前后各采集一劈裂前晶圓圖像與一劈裂后晶圓圖像,并通過(guò)一圖像處理單元比對(duì)所述劈裂前晶圓圖像與所述劈裂后晶圓圖像的差異,以產(chǎn)生一光學(xué)判定結(jié)果從而得知所述晶圓是否斷開,其特征在于,所述分區(qū)判斷方法包含:
步驟S1:取得所述劈裂前晶圓圖像,其中,通過(guò)所述圖像采集器采集所述劈裂前晶圓圖像;
步驟S2:建立多個(gè)判斷區(qū)塊,其中,通過(guò)所述圖像處理單元在所述圖像采集器的采集區(qū)域內(nèi),使使用者依據(jù)所述晶圓的特性,建立兩個(gè)以上的所述判斷區(qū)塊,并分別作為所述圖像處理單元產(chǎn)生所述光學(xué)判定結(jié)果的比對(duì)區(qū)域;
步驟S3:決定判斷方式,其中,使所述圖像處理單元依據(jù)所述晶圓的特性與所述判斷區(qū)塊的數(shù)量選擇一判定條件,所述判定條件為當(dāng)所述判斷區(qū)塊的光學(xué)判定結(jié)果為斷開的數(shù)量超過(guò)一指定值時(shí),則判定所述晶圓斷開,反之判定所述晶圓未斷開,且所述指定值為小于或等于所述判斷區(qū)塊的數(shù)量的正整數(shù);
步驟S4:劈裂,其中,對(duì)所述晶圓進(jìn)行劈裂動(dòng)作;
步驟S5:取得所述劈裂后晶圓圖像,其中,通過(guò)所述圖像采集器采集所述劈裂后晶圓圖像;
步驟S6:判斷所述晶圓是否斷開,其中,使所述圖像處理單元依據(jù)所述劈裂前晶圓圖像與所述劈裂后晶圓圖像產(chǎn)生所述判斷區(qū)塊的光學(xué)判定結(jié)果,并依據(jù)所述判定條件與所述判斷區(qū)塊的所述光學(xué)判定結(jié)果來(lái)判定所述晶圓是否斷開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法,其特征在于,所述分區(qū)判斷方法還包含一步驟S7:加深刀位,其中,當(dāng)判定所述晶圓未斷開時(shí),加深劈裂動(dòng)作的刀位深度,并回到所述步驟S4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法,其特征在于,所述分區(qū)判斷方法還包含一步驟S8:完成劈裂流程,其中,當(dāng)判定所述晶圓斷開時(shí),則所述晶圓位移至下一刀位置,以進(jìn)行下一刀的劈裂,從而完成劈裂流程。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述判斷區(qū)塊的面積大小與位置依據(jù)使用者的選擇而決定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法,其特征在于,在所述步驟S2中,所述判斷區(qū)塊的位置為均勻分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓未斷檢測(cè)分區(qū)判斷方法,其特征在于,在所述步驟S6中,當(dāng)所述圖像處理單元逐一產(chǎn)生所述判斷區(qū)塊的光學(xué)判定結(jié)果累積到達(dá)所述判定條件而判定所述晶圓斷開時(shí),則不再產(chǎn)生剩余所述判斷區(qū)塊的光學(xué)判定結(jié)果。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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