[發(fā)明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法、液晶顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310018504.1
• 申請日: 2013-01-17
• 公開（公告）號: CN103227147A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發(fā)明（設計）人: 孔祥春;曹占峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;陳源

技術領域

本發(fā)明涉及半導體器件領域，具體地講，涉及TFT-LCD陣列基板制造方法及TFT-LCD陣列基板、和包括TFT-LCD陣列基板的液晶顯示器。?

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占了主導地位。TFT-LCD中的薄膜晶體管陣列基板（TFT-LCD陣列基板）控制液晶顯示器的工作狀態(tài)，具有重要的作用。?

如圖1所示，當前TFT-LCD陣列基板包括柵極掃描線2′、數(shù)據(jù)線3′和像素電極12′，柵極掃描線2′和數(shù)據(jù)線3′限定了像素區(qū)域，并在交叉處在柵極掃描線2′和數(shù)據(jù)線3′所限定的區(qū)域內部形成TFT，TFT包括與柵極掃描線2′連接的柵電極4′、TFT溝道15′、源極5′和漏極6′，其中源極5′與數(shù)據(jù)線3′連接，而漏極6′通過接觸孔16′與像素電極12′連接。?

圖2為圖1所示的當前TFT-LCD陣列基板的L-L向截面圖。當前TFT-LCD陣列基板的制造方法使用四次掩膜板的4mask工藝，其具體包括：第一次構圖工藝，沉積金屬層，形成柵線、柵電極4′、公共電極線17′；第二次構圖工藝，沉積絕緣層8′、半導體層9′和歐姆接觸層10′、第二層金屬，并且經(jīng)過掩膜操作形成源極5′、漏極6′和溝道15′；第三次構圖工藝，沉積鈍化層11′，并且再經(jīng)過掩膜操作形成接觸孔16′；第四次構圖工藝，形成像素電極12′。?

采用四次掩膜工藝實現(xiàn)，造成了材料利用不充分，生產周期較?長，成本較高。?

發(fā)明內容

本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種TFT-LCD陣列基板制造方法及TFT-LCD陣列基板、和液晶顯示器。本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中采用4mask工藝制作TFT-LCD陣列基板過程中生產周期與成本較高的問題提出了通過三次構圖工藝（3mask工藝）制作TFT-LCD陣列基板的方法。?

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種制造TFT-LCD陣列基板的方法，包括步驟：?

通過第一次構圖工藝，在基板上形成柵極掃描線和柵極、數(shù)據(jù)信號線和公共電極，其中數(shù)據(jù)信號線在與柵極掃描線相交的位置斷裂；?

依次形成絕緣層、有源層和歐姆接觸層，然后通過第二次構圖工藝，形成用于連接在與柵極掃描線相交的位置斷裂的數(shù)據(jù)信號線的數(shù)據(jù)線連接過孔以及在柵極掃描線上通過刻蝕掉有源層上的歐姆接觸層、漏出下面的有源層以形成溝道；以及?

形成透明導電薄膜，通過第三次構圖工藝，形成像素電極、數(shù)據(jù)信號線連接線、源極和漏極，其中數(shù)據(jù)信號線連接線通過數(shù)據(jù)信號線連接過孔將斷裂的數(shù)據(jù)信號線連接起來，以及TFT處于柵極掃描線上與數(shù)據(jù)信號線相交的位置，其源極位于數(shù)據(jù)信號連接線上，其漏極與像素電極為一整體。?

進一步地，上述的方法中，還包括在第一次構圖工藝期間在基板上形成遮光條的步驟，所述遮光條（6）為不閉合的半包圍結構、與公共電極線形成一個閉合結構，該閉合結構形成在要形成的像素電極的周邊。?

上述的方法，其中，所述第二次構圖工藝中采用的掩模板為帶有狹縫的半色調或灰色調掩模板。?

上述的方法中，其中形成柵極掃描線、數(shù)據(jù)信號線和公共電極的金屬薄膜材料選自鉬、鋁、釹、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、銅中的?一種或其任意組合。?

上述的方法中，其中形成遮光條的金屬薄膜材料選自鉬、鋁、釹、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、銅中的一種或其任意組合；?

其中像素電極、數(shù)據(jù)信號線連接線、源極和漏極采用同一種材料形成。?

上述的方法中，其中所述材料是氧化銦錫。?

上述的方法中，其中所述有源層的厚度為1000埃至7000埃；其中所述歐姆接觸層的厚度為500埃至6000埃。?

本發(fā)明還提供了一種根據(jù)上述方法制造的TFT-LCD陣列基板，包括：形成在基板上的柵極掃描線和柵極、數(shù)據(jù)信號線、像素電極、數(shù)據(jù)信號線連接過孔、數(shù)據(jù)信號線連接線、公共電極線和TFT，其中，?

所述數(shù)據(jù)信號線在與所述柵極掃描線相交的位置斷裂，經(jīng)由在斷開的數(shù)據(jù)信號線的兩端上所形成的數(shù)據(jù)信號線連接過孔由數(shù)據(jù)信號線連接線連接；以及?

所述TFT處于柵極掃描線上與數(shù)據(jù)信號線相交的位置，其源極位于數(shù)據(jù)信號連接線上，其漏極與像素電極為一整體并且其溝道位置處于數(shù)據(jù)信號線上。?

本發(fā)明還提供了一種包括上述TFT-LCD陣列基板的液晶顯示器。?