[發明專利]TFT-LCD陣列基板及其制造方法、液晶顯示器有效
| 申請號: | 201310018504.1 | 申請日: | 2013-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN103227147A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 孔祥春;曹占峰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 羅建民;陳源 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft lcd 陣列 及其 制造 方法 液晶顯示器 | ||
1.一種制造TFT-LCD陣列基板的方法,包括步驟:
通過第一次構圖工藝,在基板上形成柵極掃描線和柵極、數據信號線和公共電極,其中數據信號線在與柵極掃描線相交的位置斷裂;
依次形成絕緣層、有源層和歐姆接觸層,然后通過第二次構圖工藝,形成用于連接在與柵極掃描線相交的位置斷裂的數據信號線的數據線連接過孔以及在柵極掃描線上通過刻蝕掉有源層上的歐姆接觸層、漏出下面的有源層以形成溝道;以及
形成透明導電薄膜,通過第三次構圖工藝,形成像素電極、數據信號線連接線、源極和漏極,其中數據信號線連接線通過數據信號線連接過孔將斷裂的數據信號線連接起來,以及TFT處于柵極掃描線上與數據信號線相交的位置,其源極位于數據信號連接線上,其漏極與像素電極為一整體。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,還包括在第一次構圖工藝期間在基板上形成遮光條的步驟,所述遮光條(6)為不閉合的半包圍結構、與公共電極線形成一個閉合結構,該閉合結構形成在要形成的像素電極的周邊。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,其中第二次構圖工藝中采用的掩模板為帶有狹縫的半色調或灰色調掩模板。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,其中形成柵極掃描線、數據信號線和公共電極的金屬薄膜材料選自鉬、鋁、釹、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、銅中的一種或其任意組合。
5.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,其中形成遮光條的金屬薄膜材料選自鉬、鋁、釹、鋁鎳合金、鉬鎢合金、鉻、銅中的一種或其任意組合;
其中像素電極、數據信號線連接線、源極和漏極采用同一種材料形成。
6.根據權利要求5所述的方法,其中所述材料是氧化銦錫。
7.根據權利要求1所述的方法,其中所述有源層的厚度為1000埃至7000埃;其中所述歐姆接觸層的厚度為500埃至6000埃。
8.一種根據權利要求1-7中任意一項所述的方法制造的TFT-LCD陣列基板,包括:形成在基板上的柵極掃描線和柵極、數據信號線、像素電極、數據信號線連接過孔、數據信號線連接線、公共電極線和TFT,其特征在于,
所述數據信號線在與所述柵極掃描線相交的位置斷裂,經由在斷開的數據信號線的兩端上所形成的數據信號線連接過孔由數據信號線連接線連接;以及
所述TFT處于柵極掃描線上與數據信號線相交的位置,其源極位于數據信號連接線上,其漏極與像素電極為一整體并且其溝道位置處于數據信號線上。
9.一種液晶顯示器,其包括根據權利要求8所述的TFT-LCD陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





