[發(fā)明專利]三維存儲器裝置及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310016277.9
• 申請日: 2013-01-16
• 公開（公告）號: CN103811495A
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 簡維志;李明修;龍翔瀾
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種存儲器裝置，包括：

一存取裝置陣列；

多個圖案化導(dǎo)電體層，彼此通過多個絕緣層分開，以形成該存取裝置陣列，該多個圖案化導(dǎo)電體層包括多個左側(cè)導(dǎo)電體與多個右側(cè)導(dǎo)電體；

一導(dǎo)電柱陣列，延伸穿過該多個圖案化導(dǎo)電體層，在陣列中的多個柱體，是接觸在該存取裝置陣列中相對應(yīng)的該多個存取裝置，并定義出左側(cè)界面區(qū)域與右側(cè)界面區(qū)域，該多個左側(cè)與右側(cè)界面區(qū)域是設(shè)置在該多個柱體與相鄰的左側(cè)導(dǎo)電體與右側(cè)導(dǎo)電體之間，且是在該多個圖案化導(dǎo)電體層中對應(yīng)的圖案化導(dǎo)電體層上；以及

多個存儲器元件，設(shè)置在該多個左側(cè)界面區(qū)域與該多個右側(cè)界面區(qū)域中，每該多個存儲器元件包括一可編程存儲器材料與一可擦除存儲器材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，包括：

多個列譯碼電路(row?decoding?circuits)及多個行譯碼電路(columndecoding?circuits)，耦接到該存取裝置陣列，該存取裝置陣列是設(shè)置在該導(dǎo)電柱陣列中，并用以選擇一柱體；以及

多個左平面譯碼電路與多個右平面譯碼電路，耦接到在該多個存導(dǎo)電體層中的該多個左側(cè)導(dǎo)電體與該多個右側(cè)導(dǎo)電體，以開啟一選定存儲單元(selected?cell)的電流，及關(guān)閉在一未選定存儲單元(unselected?cell)的電流，該選定存儲單元是位于一選定的圖案化導(dǎo)電體層的該左側(cè)界面區(qū)與該右側(cè)界面區(qū)域中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中在該導(dǎo)電柱陣列的一柱體包括：

一導(dǎo)電體，是電性連接于一對應(yīng)的存取裝置；以及

一存儲器材料層，是位于該導(dǎo)電體與該多個圖案化導(dǎo)電體層之間，其中在每一該存儲器元件的該可編程元件包括一有源區(qū)，設(shè)置在該多個左側(cè)與右側(cè)界面區(qū)域中的該存儲器材料層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中在該存取裝置陣列的一存取裝置，包括：

一晶體管，具有一柵極、一第一端點及一第二端點；以及

該存取裝置陣列包括一位線、一字線，該位線被耦接至該第一端點，該字線被耦接至該柵極，且其中該第二端點被耦接至在該導(dǎo)電柱陣列的一對應(yīng)的柱體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中在該存取裝置陣列的一存取裝置，包括：

一垂直晶體管，具有一第一源極/漏極端點，該端點被耦接至在該導(dǎo)體柱陣列中一相對應(yīng)的導(dǎo)體柱；以及

該陣列，包括：

一源極線或一位線，被耦接至該垂直晶體管的該源極/漏極端點，以及

一字線，提供一環(huán)繞式柵極結(jié)構(gòu)(surrounding?gate?structure)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中在該存取裝置陣列的該存取裝置的該電極材料，包括一金屬、一金屬氮化物或一金屬與金屬氮化物的組合物，且該多個圖案化導(dǎo)電體層，包括一金屬及一過渡金屬氧化物，該過渡金屬氧化物是在該多個界面區(qū)中，且該過渡金屬氧化物具有內(nèi)建自我開關(guān)的特性。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中在該多個圖案化導(dǎo)電體層中的該多個左側(cè)導(dǎo)電體與該多個右側(cè)導(dǎo)電體，是配置以接觸到相對應(yīng)的一左側(cè)平面譯碼電路與右側(cè)平面譯碼電路。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中該存取裝置陣列是位于該多個圖案化導(dǎo)電體層的下面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中：

在每一層中的該多個左側(cè)導(dǎo)電體與該多個右側(cè)導(dǎo)電體，具有多個著陸區(qū)，該多個著陸區(qū)未被任何該多個左側(cè)導(dǎo)電體與右側(cè)導(dǎo)電體所層迭(overlaid)，該多個左側(cè)導(dǎo)電體與右側(cè)導(dǎo)電體是位于層迭的該多個圖案化導(dǎo)電體層中；及，包括：

多條導(dǎo)線，延伸穿過該多個導(dǎo)電體層并接觸于該多個著陸區(qū)；及

該多個左側(cè)導(dǎo)電體與該多個右側(cè)導(dǎo)電體，是設(shè)置在該多個圖案化導(dǎo)電體層的上方，且連接到該多個導(dǎo)線；以及

該多個左側(cè)平面譯碼電路與該多個右側(cè)平面譯碼電路，耦接至該多個左側(cè)導(dǎo)電體與該多個右側(cè)導(dǎo)電體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中該多個存儲器元件包括一渡金屬氧化物，且該過渡金屬氧化物具有內(nèi)建自我開關(guān)的特征。