[發(fā)明專利]超聲波探頭及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310016250.X | 申請日： | 2013-01-16 |
| 公開（公告）號： | CN103202711A | 公開（公告）日： | 2013-07-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 閔侅基 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星麥迪森株式會社 |
| 主分類號： | A61B8/00 | 分類號： | A61B8/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 韓芳;韓明星 |
| 地址： | 韓國江原*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超聲波 探頭 及其 制造 方法 | ||
1.一種超聲波探頭，所述超聲波探頭包括：
壓電材料；以及
匹配層，設(shè)置在壓電材料的前表面上，
其中，電極形成在匹配層的面對壓電材料的表面之上。
2.如權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其中，壓電材料排列成一維陣列或二維陣列，
匹配層和壓電材料按照相同的陣列排列。
3.如權(quán)利要求2所述的超聲波探頭，其中，構(gòu)成匹配層的陣列的元件之間的間隔分別與構(gòu)成壓電材料的陣列的元件之間的間隔相同。
4.如權(quán)利要求1所述的超聲波探頭，其中，匹配層包括至少一個層。
5.一種制造超聲波探頭的方法，所述方法包括：
在匹配層的表面形成切口；
將電極形成在匹配層的形成有切口的表面之上或者形成在匹配層的相反的表面之上；以及
將匹配層的設(shè)置有所述電極的表面安裝在壓電材料上。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，在匹配層的表面形成切口通過在匹配層的表面形成切口以將匹配層處理為一維陣列或二維陣列來執(zhí)行。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，通過形成具有與形成在匹配層的表面處的切口的圖案相同的圖案的切口來按照一維陣列或二維陣列來處理壓電材料。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，匹配層包括至少一個層。
9.如權(quán)利要求5所述的方法，所述方法還包括：
利用材料填充切口；以及
沿著橫向切割匹配層以去除匹配層的具有與形成切口的表面相反的表面的部分，從而暴露填充切口的材料。
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