[發明專利]陶瓷元器件細微立體導電線路的制備方法有效
| 申請號: | 201310015315.9 | 申請日: | 2013-01-16 |
| 公開(公告)號: | CN103094126A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 吳朝暉;劉浩;夏浩東;吳樂海 | 申請(專利權)人: | 東莞市凱昶德電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人: | 徐勛夫 |
| 地址: | 523000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陶瓷 元器件 細微 立體 導電 線路 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷元器件細微立體導電線路的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)清洗,對立體成形的陶瓷元器件進行清洗,以去除陶瓷元器件表面的雜質和沾污;
(2)真空濺鍍,以真空濺鍍方式在立體成形的陶瓷元器件表面依序形成一鈦層以及一銅層;?
(3)激光布線,利用激光在鍍膜后的陶瓷表面有選擇地去除部分金屬層,以形成細微立體線路圖案;
(4)電鍍加厚,在成形的立體線路圖案上電鍍銅加厚,以形成銅線路;
(5)化學蝕刻,采用化學蝕刻方式去除陶瓷元器件表面除銅線路以外的鈦層及銅層,以獲得細微立體導電線路層。
2.根據權利要求1所述的陶瓷元器件細微立體導電線路的制備方法,其特征在于:所述陶瓷元器件的主要成分為具有高導熱系數的氧化鋁或氮化鋁。
3.根據權利要求1所述的陶瓷元器件細微立體導電線路的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中真空濺鍍所形成的鈦層厚度為0.05~0.3μm,銅層厚度為0.5~2.0μm。
4.根據權利要求1所述的陶瓷元器件細微立體導電線路的制備方法,其特征在于:進一步包括有以下步驟:
(6)鍍鎳,在前述銅線路的表面鍍上鎳層;
(7)鍍金/銀,在前述鎳層的表面鍍上金層或者銀層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





