[發(fā)明專利]一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310014690.1
• 申請日: 2013-01-15
• 公開（公告）號: CN103059767A
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吳永藩;侯小寶;許明勇
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波晶鑫電子材料有限公司
• 主分類號: C09J9/02
• 分類號: C09J9/02;C09J163/00;C09J167/00;C09J167/02;C09J175/04;C09J11/04;C09J11/06
• 代理公司: 上海泰能知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 31233
• 代理人: 黃志達(dá)

1.一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，該銀漿按重量分?jǐn)?shù)包括：

所述的耐高溫樹脂為改性環(huán)氧樹脂、飽和聚酯樹脂和聚胺酯樹脂中的一種或幾種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的改性環(huán)氧樹脂具體為TGDDM、飽和聚酯樹脂具體為EK410和聚胺酯樹脂具體為DM1035。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的溶劑為酯類溶劑或酮類溶劑。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的固化劑為2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-十一烷咪唑中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的固化促進(jìn)劑為乙烯基硅烷有機(jī)偶朕、氨基硅烷有機(jī)偶朕、環(huán)氧基硅烷有機(jī)偶朕劑中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的乙烯基硅烷有機(jī)偶朕劑具體為KH550，氨基硅烷有機(jī)偶朕劑具體為KH560，環(huán)氧基硅烷有機(jī)偶朕劑具體為KH570以及促進(jìn)劑FLQ-1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的微米銀粉為片狀銀粉，顆粒粒徑為5-8μm，松裝密度為0.8-1.5。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的納米銀顆粒為球形銀粉，粒徑為0.1-0.3μm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿，其特征在于：所述的納米碳管的截面直徑為10～100nm。

10.如權(quán)利要求1所述的一種耐高溫低方阻的導(dǎo)電銀漿的制備方法，包括：

按重量分?jǐn)?shù)將耐高溫樹脂10～20%、溶劑20-30%、固化劑0.1～2%、固化促進(jìn)劑0.1～0.5%、微米銀粉45～60%、納米銀顆粒0.1～5%和納米碳管0～3%混合均勻，然后在130-170℃固化30-90分鐘即可。