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[發明專利]一種耐高溫低方阻的導電銀漿及其制備方法有效

專利信息
申請號: 201310014690.1 申請日: 2013-01-15
公開(公告)號: CN103059767A 公開(公告)日: 2013-04-24
發明(設計)人: 吳永藩;侯小寶;許明勇 申請(專利權)人: 寧波晶鑫電子材料有限公司
主分類號: C09J9/02 分類號: C09J9/02;C09J163/00;C09J167/00;C09J167/02;C09J175/04;C09J11/04;C09J11/06
代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233 代理人: 黃志達
地址: 315823 浙江省*** 國省代碼: 浙江;33
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 耐高溫 低方阻 導電 及其 制備 方法
【說明書】:

技術領域

發明屬于導電銀漿及其制備領域,特別涉及一種耐高溫低方阻的導電銀漿及其制備方法。

背景技術

導電銀漿是適合電子工業發展的導電膠黏劑品種,它用于電器和電子封裝中需要接通的地方,以粘代焊。導電銀漿料是由導電性填料、粘結樹脂、溶劑和添加劑組成。隨著電子行業向功能化、微型化方向快速發展,使得對電子器件的耐熱性和散熱性的要求大幅提高,尋找耐熱優良和低電阻的材料成為研發的方向。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種耐高溫低方阻的導電銀漿及其制備方法,該導電銀漿耐高溫、低方阻,利用不同填料的合理組合達到良好的綜合性能,該方法操作簡單,成本低。

本發明的一種耐高溫低方阻的導電銀漿,該銀漿按重量分數包括:

所述的耐高溫樹脂為改性環氧樹脂、飽和聚酯樹脂和聚胺酯樹脂中的一種或幾種。

所述的改性環氧樹脂具體為TGDDM、飽和聚酯樹脂具體為EK410和聚胺酯樹脂具體為DM1035。

所述的溶劑為酯類溶劑或酮類溶劑。

所述的固化劑為2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-十一烷咪唑中的一種。

所述的固化促進劑為乙烯基硅烷有機偶朕、氨基硅烷有機偶朕、環氧基硅烷有機偶朕劑中的一種。

所述的乙烯基硅烷有機偶朕劑具體為KH550,氨基硅烷有機偶朕劑具體為KH560,環氧基硅烷有機偶朕劑具體為KH570以及促進劑FLQ-1。

所述的微米銀粉為片狀銀粉,顆粒粒徑為5-8μm,松裝密度為0.8-1.5。

所述的納米銀顆粒為球形銀粉,粒徑0.1-0.3μm。

所述的納米碳管的截面直徑為10~100納米。

本發明的一種耐高溫低方阻的導電銀漿的制備方法,包括:

按重量百分比將耐高溫樹脂10~20%、溶劑20-30%、固化劑0.1~2%、固化促進劑0.1~1%、微米銀粉45~60%、納米銀顆粒0.1~5%、納米碳管0~3%混合均勻,然后在130-170℃固化30-90分鐘即可。

本發明中采用的飽和聚酯樹脂是直鏈結構的二元醇和二元酸合成的樹脂,EK410由東莞市鷹鴻化工科技有限公司提供;聚氨酯樹脂由二元或多元異氰酸酯與二元或多元羥基化合物作用而成的高分子化合物,DM1035由東莞市競擇樹脂有限公司提供。

本發明通過選擇耐高溫樹脂及其組合物作為基材,匹配不同性能的導電性填料,不僅僅極大地提高了導電銀漿的耐熱性,而且也顯著提高了導電銀漿的導電性能,降低了電阻,實現了導電銀漿耐高溫、低方阻的目的。

本發明針對目前市場上的導電膠耐熱性差,銀線路方阻高的缺點而發明的。本發明是由特殊的耐高溫樹脂及組合物構成,所以具有優異的耐高溫性能,耐高溫度可到200℃以上,同時采用合適的銀粉及組合,方阻可以降至10mΩ/□mil以下。

本發明的導電銀漿料可用于電器和電子封裝過程中需要接通電路的地方,以粘代焊,尤其在筆記本電腦鍵盤線路和薄膜開關的印刷線路方面有著廣泛應用。

有益效果:

(1)本發明的導電銀漿具有優異的耐高溫性能,可到200℃以上,同時采用合適的銀粉組合,方阻可以降至10mΩ/□mil以下;

(2)本發明采用耐高溫樹脂,兼用適量的固化劑,極大的提高了銀漿的耐高溫性能,加入微米銀粉和納米銀顆粒極大提高了其導電性能,降低了銀線路的方阻,而加入導電和導熱碳納米管進一步提高了其導電和導熱性能;

(3)本發明的導電銀漿料可用于電器和電子封裝過程中需要接通電路的地方,以粘代焊,尤其在筆記本電腦鍵盤線路和薄膜開關的印刷線路方面有著廣泛應用。

具體實施方式

下面結合具體實施例,進一步闡述本發明。應理解,這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外應理解,在閱讀了本發明講授的內容之后,本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改,這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。所述的改性環氧樹脂具體為TGDDM、飽和聚酯樹脂具體為EK410和聚胺酯樹脂具體為DM1035

實施例1

本實施例中,耐高溫低方阻的導電銀漿的總重量為100g,組成以重量分數計為:

將以上混合均勻,然后在140℃固化60分鐘。測得其Tg為200℃,方阻8.3mΩ/□mil。

實施例2

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