[發明專利]凹入式晶體管的制作方法

有效

• 申請號: 201310012958.8
• 申請日: 2013-01-14
• 公開（公告）號: CN103871892B
• 公開（公告）日: 2016-11-02
• 發明（設計）人: 林永發
• 申請（專利權）人: 茂達電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/28;H01L21/768
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半導體基底；

于所述半導體基底上形成一外延層；

于所述外延層上形成一硬掩膜層，所述硬掩膜層包含有至少一開口；

經由所述硬掩膜層的開口刻蝕所述外延層，以形成一柵極溝槽；

于所述柵極溝槽的表面形成一柵極氧化層；

于所述柵極溝槽內形成一凹入式柵極；

于所述凹入式柵極上形成一上蓋層；

去除所述硬掩膜層；

于所述外延層中形成一離子阱；

于所述離子阱中形成一源極摻雜區；

于所述上蓋層及所述凹入式柵極的側壁上形成一隔離壁；以及

以所述上蓋層及所述隔離壁為刻蝕掩膜，自對準刻蝕所述外延層，以形成一接觸孔。

2.根據權利要求1所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述半導體基底為一N型重摻雜硅基底，作為所述晶體管器件的漏極。

3.根據權利要求2所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述外延層為一N型外延硅層。

4.根據權利要求1所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層包含氧化硅或者氮化硅。

5.根據權利要求3所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述離子阱為一P型離子阱。

6.根據權利要求5所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述源極摻雜區為一N型源極摻雜區。

7.根據權利要求1所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述上蓋層包含氮化硅。

8.根據權利要求1所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述隔離壁包含氮化硅。

9.一種凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，包含：

提供一半導體基底；

于所述半導體基底上形成一外延層；

于所述外延層表面注入一氮摻雜層；

于所述外延層上形成一硬掩膜層，所述硬掩膜層包含有至少一開口；

經由所述硬掩膜層的開口刻蝕所述外延層，以形成一柵極溝槽；

于所述柵極溝槽的表面形成一柵極氧化層；

于所述柵極溝槽內形成一凹入式柵極；

去除所述硬掩膜層，使所述凹入式柵極部分凸出于所述外延層的表面；

于所述外延層中形成一離子阱；

于所述離子阱中形成一源極摻雜區；

選擇性的氧化所述凹入式柵極凸出于所述外延層的表面的部分，以形成一氧化蓋層；以及

以所述氧化蓋層為刻蝕掩膜，自對準刻蝕所述外延層，以形成一接觸孔。

10.根據權利要求9所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述半導體基底為一N型重摻雜硅基底，作為所述晶體管器件的漏極。

11.根據權利要求10所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述外延層為一N型外延硅層。

12.根據權利要求9所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜層包含氧化硅或者氮化硅。

13.根據權利要求11所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述離子阱為一P型離子阱。

14.根據權利要求13所述的凹入式晶體管器件的制造方法，其特征在于，所述源極摻雜區為一N型源極摻雜區。