[發明專利]像素結構及像素陣列基板

有效

• 申請號: 201310012752.5
• 申請日: 2013-01-14
• 公開（公告）號: CN103926760B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 劉軒辰;張憲政;唐大慶;吳建豪;王景昭;林榮震
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明涉及一種像素結構及像素陣列基板，特別是涉及一種具有提升像素開口率的像素結構及像素陣列基板，也就是一種HUA(HannStar Ultra-high Aperture)的技術。

背景技術

液晶顯示面板具有外型輕薄、耗電量少以及無輻射污染等特性，已被廣泛地應用在筆記本計算機(notebook)、個人數碼助理(PDA)等攜帶式信息產品上，并且已逐漸取代傳統桌上型計算機的陰極射線管監視器。

現有液晶顯示面板是由彩色濾光片基板、像素陣列基板以及液晶層所構成，且液晶層設置于彩色濾光片基板與像素陣列基板之間，并通過調整液晶層的液晶分子的旋轉方向來控制像素的亮暗。請參考圖1，圖1所示為現有的像素陣列基板的像素結構的剖視示意圖。如圖1所示，像素結構10包括基板12、薄膜晶體管14、共用線16、保護層18、平坦層20以及像素電極22。薄膜晶體管14設置于基板12上，且包含有柵極14a、源極14b、漏極14c以及通道層14d。共用線16設置于基板12上。保護層18覆蓋于薄膜晶體管14與基板12上，且具有第一開口18a，曝露出漏極14c。平坦層20覆蓋于保護層18上，且具有第二開口20a，對應第一開口18a，以曝露出漏極14c。像素電極22設置于平坦層20上，并通過開口18a、20a與漏極14c電連接。并且，共用線16與像素電極22重疊，使共用線16、像素電極22、保護層18與平坦層20構成儲存電容。

然而，第一開口18a在對準薄膜晶體管14的漏極14c時會有對位誤差，且第二開口20a在對準第一開口18a時也會有對位誤差。再者，像素電極22覆蓋第二開口20a時也會有對位誤差。由于第一開口18a、第二開口20a與像素電極22的對位誤差會相互影響，因此用于電性連接像素電極22與薄膜晶體管14的漏極14c的連接結構24的大小會同時受到第一開口18a、第二開口20a與像素電極22的對位誤差的影響，而需將連接結構24的特征長度L1設計為大于第一開口18a的特征長度L2，且約略為第一開口18a的特征長度L2的4到8倍，例如：20到28微米，使得像素電極22可通過第一開口18a以及第二開口20a而與漏極14c相接觸。如此一來，用于連接像素電極22與漏極14c的連接結構24會影響用于顯示的像素電極22的面積，進而限制了像素結構10的開口率。

因此，在像素陣列基板的分辨率增加的趨勢下，提升像素結構的開口率實為業界努力的目標。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種像素結構及像素陣列基板，以提升像素結構與像素陣列基板的開口率。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種像素結構，包括基板、薄膜晶體管、第一絕緣層、透明導電圖案層、第二絕緣層以及像素電極。薄膜晶體管設置于基板上，且薄膜晶體管包含有一柵極、一源極以及一漏極。第一絕緣層覆蓋于薄膜晶體管與基板上，且第一絕緣層具有一第一開口，曝露出漏極。透明導電圖案層設置于第一絕緣層上，且透明導電圖案層包括共用電極以及連接電極。連接電極延伸至第一開口內與漏極電性連接，且連接電極與共用電極電性絕緣。第二絕緣層覆蓋于第一絕緣層與透明導電圖案層上，且第二絕緣層具有一第二開口，曝露出連接電極。像素電極設置于第二絕緣層上，并通過第二開口與連接電極電性連接。漏極、第一開口、連接電極、第二開口與像素電極構成一連接結構

為解決上述技術問題，本發明還提供了一種像素陣列基板，包括多個像素結構，呈一陣列方式排列。位于同一行的任兩相鄰的所述像素結構的所述共用電極彼此相連接。

本發明的像素結構通過連接電極來電性連接像素電極與薄膜晶體管的漏極，因此第一開口不限與第二開口重疊或不重疊。所以，用于電性連接像素電極與薄膜晶體管的漏極的連接結構的特征長度可約略為第一開口的特征長度或第二開口的特征長度的1到2.5倍，借此連接結構的大小可被有效地縮小，進而可有效地提升像素結構的開口率。

附圖說明

圖1所示為現有的像素陣列基板的像素結構的剖視示意圖。

圖2所示為本發明第一實施例的像素陣列基板的上視示意圖。

圖3所示為圖2的單一像素結構的放大示意圖。

圖4所示為圖3沿著剖視線A-A’的剖視示意圖。

圖5為本發明第二實施例的像素結構的剖視示意圖。

圖6為本發明第三實施例的像素結構的上視示意圖。

圖7為本發明第四實施例的像素結構的上視示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

10、100、200、300、400像素結構

12、104基板