[發明專利]像素結構及像素陣列基板

有效

• 申請號: 201310012752.5
• 申請日: 2013-01-14
• 公開（公告）號: CN103926760B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 劉軒辰;張憲政;唐大慶;吳建豪;王景昭;林榮震
• 申請（專利權）人: 瀚宇彩晶股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司44223
• 代理人: 江耀純

1.一種像素結構，其特征在于，包括：

一基板；

一薄膜晶體管，設置于所述基板上，且所述薄膜晶體管包含有一柵極、一源極以及一漏極；

一數據線與一掃描線，設置于所述基板上，且彼此交錯；

一第一絕緣層，覆蓋于所述薄膜晶體管、所述數據線與所述基板上，且所述第一絕緣層具有一第一開口，曝露出所述漏極；

一透明導電圖案層，設置于所述第一絕緣層上，且所述透明導電圖案層包括：

一共用電極；以及

一連接電極，延伸至所述第一開口內與所述漏極電性連接，且所述連接電極與所述共用電極電性絕緣；

一第二絕緣層，覆蓋于所述第一絕緣層與所述透明導電圖案層上，且所述第二絕緣層具有一第二開口，曝露出所述連接電極；以及

一像素電極，設置于所述第二絕緣層上，并通過所述第二開口與所述連接電極電性連接；

其中，所述數據線與所述掃描線分別形成于不同金屬層，所述漏極、所述第一開口、所述連接電極、所述第二開口與所述像素電極構成一連接結構。

2.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于所述連接電極的特征長度為所述第一開口的特征長度或所述第二開口的特征長度的1到2.5倍。

3.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述連接電極的特征長度最小與所述第一開口的特征長度以及所述第二開口的特征長度的加總相同。

4.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一開口與所述第二開口具有相同大小。

5.如權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述連接電極的特征長度為所述第一開口的特征長度或所述第二開口的特征長度的兩倍以上。

6.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第二開口與所述第一開口重疊。

7.如權利要求6所述的像素結構，其特征在于，所述連接電極的特征長度為所述第一開口的特征長度或所述第二開口的特征長度的一倍以上。

8.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述共用電極與所述薄膜晶體管重疊。

9.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述數據線電性連接所述源極，所述掃描線電性連接所述柵極。

10.如權利要求9所述的像素結構，其特征在于，所述共用電極與所述數據線或所述掃描線重疊。

11.如權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述共用電極不與所述第一開口以及所述第二開口重疊。

12.一種像素陣列基板，其特征在于，包括：

多個如權利要求1所述的像素結構，呈一陣列方式排列；

其中，位于同一行的任兩相鄰的所述像素結構的所述共用電極彼此相連接。