[發明專利]制造半導體器件的方法

有效

• 申請號: 201310009939.X
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103545217B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 金泰潤;趙興在
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 周曉雨,俞波

1.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在半導體襯底中形成溝槽；

在限定所述溝槽的所述襯底的表面之上形成絕緣層；

在所述絕緣層之上形成導電圖案，使得所述導電圖案填充所述溝槽的一部分；

去除所述導電圖案之上的所述絕緣層的一部分，以便形成具有在所述導電圖案之上的所述半導體襯底的暴露側壁的所得結構；

沿著去除了所述絕緣層的一部分的所得結構的整個表面形成遷移輔助層；以及

通過從所述遷移輔助層和所述半導體襯底遷移材料而在所述溝槽中形成掩埋層。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述遷移輔助層包括硅層。

3.如權利要求1所述的方法，其中，形成所述遷移輔助層的步驟包括以下步驟：

執行外延生長工藝。

4.如權利要求3所述的方法，其中，執行所述外延生長工藝的步驟在氫氣H₂或氮氣N₂氛圍下執行。

5.如權利要求1所述的方法，其中，去除所述絕緣層的一部分的步驟包括以下步驟：

刻蝕所述絕緣層的一部分。

6.如權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：

在去除所述絕緣層的一部分之前，在所述導電圖案之上形成防缺陷層。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述防缺陷層包括多晶硅層。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述半導體襯底包括硅襯底。

9.如權利要求8所述的方法，其中，從所述遷移輔助層和所述半導體襯底遷移材料以形成所述掩埋層的步驟包括以下步驟：

利用在氫氣H₂或氮氣N₂氛圍下執行的熱處理而從所述遷移輔助層和所述半導體襯底遷移材料。

10.如權利要求1所述的方法，其中，所述導電圖案包括金屬層。

11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在硅襯底中形成溝槽；

在限定所述溝槽的所述襯底的表面上形成絕緣層；

在所述絕緣層之上形成位線，使得所述位線部分地填充所述溝槽的一部分；

在所述位線之上形成第一含硅層；

去除所述第一含硅層之上的所述絕緣層的一部分，以便形成具有在所述第一含硅層之上的所述半導體襯底的暴露側壁的所得結構；

沿著去除了所述絕緣層的一部分的所得結構的整個表面形成第二含硅層；

在所述溝槽中通過從所述第二含硅層和所述襯底遷移材料來形成第三含硅層；

通過刻蝕所述第二含硅層和所述硅襯底而形成掩埋有所述位線的本體線；以及

刻蝕所述本體線以形成包括垂直溝道晶體管的溝道區的柱體。

12.如權利要求11所述的方法，其中，所述第一含硅層包括多晶硅層。

13.如權利要求11所述的方法，其中，所述第二含硅層和所述第三含硅層包括單晶硅層。

14.如權利要求11所述的方法，其中，形成所述第二含硅層的步驟包括以下步驟：

執行外延生長工藝。

15.如權利要求14所述的方法，其中，執行所述外延生長工藝的步驟在氫氣H₂或氮氣N₂氛圍下執行。

16.如權利要求11所述的方法，其中，去除所述絕緣層的一部分的步驟包括以下步驟：

刻蝕所述絕緣層的一部分。

17.如權利要求11所述的方法，其中，從所述第二含硅層和所述襯底遷移材料的步驟包括以下步驟：

利用在氫氣H₂或氮氣N₂氛圍下執行的熱處理而從所述第二含硅層和所述襯底遷移材料。

18.如權利要求11所述的方法，還包括以下步驟：

在形成所述本體線之前，在所述第三含硅層之上和所述硅襯底之上形成第四含硅層。

19.如權利要求18所述的方法，其中，所述第四含硅層包括單晶硅層。

20.如權利要求11所述的方法，其中，所述位線包括導電層。