[發明專利]MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置

無效

• 申請號: 201310009608.6
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103088318A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 冉軍學;胡強;胡國新;梁勇;熊衍凱;王軍喜;曾一平;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/455
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 湯保平

技術領域

本發明涉及用于制造III-V族化合物半導體的方法和裝置，特別涉及MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置。

背景技術

金屬有機化學氣相沉積設備簡稱MOCVD設備，被廣泛用于制備光電子、微電子材料，尤其隨著氮化鎵基材料發光二極管(LED)產業的迅猛發展，MOCVD設備在產業上得到大規模應用。目前市場上的MOCVD設備的不同反應氣體進入反應室內之前均是采用隔離方式，例如生長GaN時TMGa和NH3以不同的管路和進氣腔室進入反應室內，反應氣體到反應室內才混合、分解和反應。這種方式將出現反應物混合難以充分均勻，從而導致組份不均勻，影響材料的均勻性。如果將不同氣體混合均勻后再進入反應室內，有些反應物之間又會發生預反應的不良影響，產生不利于材料質量的加和物，同時也將造成源的浪費，利用率低。為了解決工藝上既需要氣體混合進氣方式又需要隔離進氣方式這一問題，本發明提供了一種反應室進氣的氣體混合與隔離裝置，可以實現充分混合后進入反應室和隔離進入反應室這兩種進氣方式之間隨時靈活切換，這樣對于需要充分混合、預反應不嚴重的氣體和工藝可以切換到充分預混合方式生長，提高組份均勻性，對于預反應嚴重需要完全隔離的氣體和工藝要求，可以切換到隔離方式生長。

發明內容

本發明的目的在于，提供一種用于MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置，其可實現MOCVD反應室進氣方式的多樣性和靈活性，提高組份混合均勻性和避免嚴重的預反應。

本發明提供一種MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置，包括：

一第一氣體入口；

一第一氣體出口；

一第一直通閥門，該第一直通閥門的一端與第一氣體入口連通，該第一直通閥門的另一端與第一氣體出口連通；

一第一旁通閥門，該第一旁通閥門的一端與第一直通閥門的一端連接；

一第二旁通閥門，該第二旁通閥門的一端與第一直通閥門的另一端連接；

一第二氣體入口；

一第二氣體出口；

一第二直通閥門，該第二直通閥門的一端與第二氣體入口連通，該第二直通閥門的另一端與第二氣體出口連通；

一第三旁通閥門，該第三旁通閥門的一端與第二直通閥門的一端連接，該第三旁通閥門的另一端與第一旁通閥門的另一端連接；

一第四旁通閥門，該第四旁通閥門的一端與第二直通閥門的另一端連接，該第四旁通閥門的另一端與第二旁通閥門的另一端連接；

一氣體混合器，該氣體混合器位于第一旁通閥門及第二旁通閥門之間并與之連通。

本發明的有益效果是：

本發明采用一組閥門的開關實現隔離進氣方式和混合進氣方式之間的靈活切換，制造簡單，自動控制方便，可以在工藝軟件中自動靈活控制。

本發明實現充分混合后進入反應室和隔離避免預反應進入反應室這兩種進氣方式之間隨時切換，提高設備進氣方式的靈活性和多功能性。

附圖說明

以下參考附圖是對具體實施例的詳細描述，將會更好地理解本發明的內容和特點，其中：

圖1是本發明的MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置示意圖。

圖2是本發明的一個具體實施例的示意圖。

圖3是本發明的另一個具體實施例的示意圖。

具體實施方式

下面結合實施例并對照附圖對本發明作進一步的說明。圖1是本發明的結構示意圖，應理解，本公開的附圖重點示出根據本發明的一個實施方式的構成特征，這些附圖并不意在示出設備中的每一個單個部件。請參閱圖1所示，本發明提供的一種MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置，包括：

一第一氣體入口01；

一第一氣體出口02；

一第一直通閥門11，該第一直通閥門11的一端與第一氣體入口01連通；該第一直通閥門11的另一端與第一氣體出口02連通；

一第一旁通閥門12，該第一旁通閥門12的一端與第一直通閥門11的一端連接；

一第二旁通閥門13，該第二旁通閥門13的一端與第一直通閥門11的另一端連接；

一第二氣體入口03；

一第二氣體出口04；

一第二直通閥門16，該第二直通閥門16的一端與第二氣體入口03連通，該第二直通閥門16的另一端與第二氣體出口04連通；

一第三旁通閥門14，該第三旁通閥門14的一端與第二直通閥門16的一端連接，該第三旁通閥門14的另一端與第一旁通閥門12的另一端連接；