[發明專利]MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置無效
| 申請號: | 201310009608.6 | 申請日: | 2013-01-10 |
| 公開(公告)號: | CN103088318A | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發明(設計)人: | 冉軍學;胡強;胡國新;梁勇;熊衍凱;王軍喜;曾一平;李晉閩 | 申請(專利權)人: | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號: | C23C16/44 | 分類號: | C23C16/44;C23C16/455 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 湯保平 |
| 地址: | 100083 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | mocvd 設備 反應 室進氣 氣體 混合 隔離 裝置 | ||
1.一種MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置,包括:
一第一氣體入口;
一第一氣體出口;
一第一直通閥門,該第一直通閥門的一端與第一氣體入口連通,該第一直通閥門的另一端與第一氣體出口連通;
一第一旁通閥門,該第一旁通閥門的一端與第一直通閥門的一端連接;
一第二旁通閥門,該第二旁通閥門的一端與第一直通閥門的另一端連接;
一第二氣體入口;
一第二氣體出口;
一第二直通閥門,該第二直通閥門的一端與第二氣體入口連通,該第二直通閥門的另一端與第二氣體出口連通;
一第三旁通閥門,該第三旁通閥門的一端與第二直通閥門的一端連接,該第三旁通閥門的另一端與第一旁通閥門的另一端連接;
一第四旁通閥門,該第四旁通閥門的一端與第二直通閥門的另一端連接,該第四旁通閥門的另一端與第二旁通閥門的另一端連接;
一氣體混合器,該氣體混合器位于第一旁通閥門及第二旁通閥門之間并與之連通。
2.如權利要求1所述的MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置,其中第一直通閥門、第一旁通閥門、第二旁通閥門、第二直通閥門、第三旁通閥門和第四旁通閥門均為氣動閥。
3.如權利要求1所述的用于MOCVD設備反應室進氣的氣體混合與隔離裝置,其中該氣體混合器的內部有相對噴射的氣體噴嘴,或者是相互間盤繞的多孔管路,以使不同種類氣體均勻混合。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





