[發明專利]半導體堆棧結構及其制法有效
| 申請號： | 201310009469.7 | 申請日： | 2013-01-10 |
| 公開（公告）號： | CN103199065A | 公開（公告）日： | 2013-07-10 |
| 發明（設計）人： | 林柏伸;許傳進;陳秉翔;江承翰;陳鍵輝;林錫堅;何彥仕 | 申請（專利權）人： | 精材科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇 |
| 地址： | 中國臺灣桃園縣中*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 堆棧 結構 及其 制法 | ||
1.一種半導體堆棧結構，其特征在于，包括：
基板；以及
芯片，其具有相對的第一表面與第二表面，該芯片的第一表面堆棧于該基板上，且該芯片的第一表面上具有線路結構，而該芯片的第一表面邊緣具有翹曲部。
2.根據權利要求1所述的半導體堆棧結構，其特征在于，該芯片上的應力集中于該翹曲部上。
3.根據權利要求1所述的半導體堆棧結構，其特征在于，該基板與該芯片之間具有擋層。
4.根據權利要求1所述的半導體堆棧結構，其特征在于，該基板的材質為玻璃或硅。
5.一種半導體堆棧結構的制法，其特征在于，包括：
于基板上堆棧晶圓，該晶圓具有接置該基板的第一表面與相對該第一表面的第二表面，該晶圓的第一表面上具有線路結構及切割區；
移除該晶圓的部分材質，以形成對應該切割區的切割槽，令該切割區外露于該切割槽；以及
進行切割，沿該切割槽切割該基板與該晶圓，以于該切割區上形成應力集中處，而使該切割區形成翹曲部。
6.根據權利要求5所述的半導體堆棧結構的制法，其特征在于，該基板與該晶圓之間具有擋層。
7.根據權利要求6所述的半導體堆棧結構的制法，其特征在于，進行切割時，一并切割該擋層。
8.根據權利要求5所述的半導體堆棧結構的制法，其特征在于，該基板的材質為玻璃或硅。
9.根據權利要求5所述的半導體堆棧結構的制法，其特征在于，該晶圓由多個芯片所組成。
10.根據權利要求9所述的半導體堆棧結構的制法，其特征在于，該切割槽位于各該芯片之間，以在進行切割后，該翹曲部位于該芯片的邊緣。
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