[發(fā)明專利]互連結(jié)構(gòu)的制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310009281.2
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103928390A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;張城龍
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種互連結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述襯底上具有柵極，在柵極周圍具有側(cè)墻，柵極兩側(cè)的襯底內(nèi)具有源極、漏極；

在所述源極、漏極上形成第一墊高層，所述第一墊高層具有導(dǎo)電能力；

形成介質(zhì)層，覆蓋所述側(cè)墻、柵極、第一墊高層；

刻蝕所述介質(zhì)層形成開口，所述開口底部露出所述第一墊高層；

在所述開口內(nèi)填充導(dǎo)電材料，形成局部互連結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，柵極兩側(cè)的襯底內(nèi)具有凹槽，所述凹槽內(nèi)具有半導(dǎo)體材料；柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體材料分別作為源極和漏極；

所述第一墊高層的形成方法為：外延生長。

3.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體材料為鍺硅材料或碳化硅材料，所述第一墊高層的材料為硅。

4.如權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述凹槽為sigma形凹槽。

5.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成第一墊高層后，形成介質(zhì)層之前，還包括：去除部分高度的側(cè)墻，剩余側(cè)墻的頂面與所述第一墊高層頂面相平。

6.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成開口后，在所述第一墊高層的表面形成金屬硅化物。

7.如權(quán)利要求6所述的制作方法，其特征在于，在所述開口內(nèi)填充導(dǎo)電材料之前，還包括：在所述金屬硅化物上形成第二墊高層，所述第二墊高層具有導(dǎo)電能力。

8.如權(quán)利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述第二墊高層的材料為鈷鎢磷。

9.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述開口包括雙鑲嵌工藝中形成的通孔和溝槽。

11.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柵極為前柵工藝的多晶硅柵極。

12.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述柵極為后柵工藝的金屬柵極。

13.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為氮化硅。

14.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，去除部分高度側(cè)墻的方法為回刻。

15.如權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層為低k材料或超低k材料。