[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

無效

• 申請號: 201310008608.4
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103921496A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;B32B15/02;B32B15/20;B32B15/14;B32B9/00;C23C14/24;C23C14/14;C23C14/08;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種導電薄膜，其特征在于，所述導電薄膜包括層疊的銅層及三氧化鉬層，其中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，所述三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。

2.根據權利要求1所述的導電薄膜，其特征在于，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

3.一種導電薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底通過酸處理，接著用丙酮和乙醇超聲清洗，烘干后將所述襯底放入管式爐的石英管中；

設置管式爐的石英管的真空度為10²Pa~10³Pa，溫度為350℃~700℃，然后向管式爐的石英管中通入惰性氣體，所述惰性氣體的流速為50cm³/min～180cm³/min；

先將銅粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；所述銅粉的蒸發時間為10分鐘～40分鐘，在所述襯底表面形成銅層，停止蒸鍍所述銅層；

然后將三氧化鉬粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；三氧化鉬粉末的蒸發時間為3分鐘～20分鐘，在所述銅層表面形成所述三氧化鉬層，停止蒸鍍所述三氧化鉬層，繼續通入惰性氣體冷卻到室溫；及

剝離所述襯底，得到所述層疊的銅層及三氧化鉬層導電薄膜。

4.根據權利要求3所述的導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。

5.根據權利要求3所述的導電薄膜的制備方法，其特征在于，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

6.一種有機電致發光器件的基板，其特征在于，包括依次層疊的襯底、銅層及三氧化鉬層，其中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的基板，其特征在于，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

8.一種有機電致發光器件的基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

將襯底通過酸處理，然后用丙酮和乙醇超聲清洗，烘干后將所述襯底放入管式爐的石英管中；

設置管式爐的石英管的真空度為10²Pa~10³Pa，溫度為350℃~700℃，然后向管式爐的石英管中通入惰性氣體，所述惰性氣體的流速為50cm³/min～180cm³/min；

先將銅粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；所述銅粉的蒸發時間為10分鐘～40分鐘，在所述襯底表面形成銅層，停止蒸鍍所述銅層；

然后將三氧化鉬粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；三氧化鉬粉的蒸發時間為3分鐘～20分鐘，在所述銅層表面形成所述三氧化鉬層，停止蒸鍍所述三氧化鉬層，繼續通入惰性氣體冷卻到室溫。

9.根據權利要求8所述的有機電致發光器件的基板的制備方法，其特征在于，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

10.一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、發光層以及陰極，其特征在于，所述陽極包括依次層疊的襯底、銅層及三氧化鉬層，其中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。