[發明專利]導電薄膜、其制備方法及應用

無效

• 申請號: 201310008608.4
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN103921496A
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;陳吉星;黃輝
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: B32B15/04
• 分類號: B32B15/04;B32B15/02;B32B15/20;B32B15/14;B32B9/00;C23C14/24;C23C14/14;C23C14/08;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發明涉及半導體光電材料，特別是涉及導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基板、其制備方法及有機電致發光器件。

背景技術

導電薄膜電極是有機電致發光器件（OLED）的基礎構件，其性能的優劣直接影響著整個器件的發光效率。其中，透明導電薄膜是把光學透明性能與導電性能復合在一體的光電材料，由于其具有優異的光電特性，成為近年來的研究熱點和前沿課題，可廣泛應用于太陽能電池，LED，TFT，LCD及觸摸屏等屏幕顯示領域。隨著器件性能要求的提高，用于作為器件陽極的透明導電膜的性能也在要求提高。對于器件出光效率的需要，很多研究機構都在設法在陽極與基板之間插入散射層。

高性能的器件，還要求陽極有較高的表面功函數，使其與其他功能層的能級相匹配，降低勢壘，提高載流子注入效率，最終達到高的電光效率。

發明內容

基于此，有必要提供一種功函數較高的導電薄膜、其制備方法、使用該導電薄膜的有機電致發光器件的基板、其制備方法及有機電致發光器件。

一種導電薄膜，包括層疊的銅層及三氧化鉬層，其中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，所述三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。

在其中一個實施例中，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

一種導電薄膜的制備方法，包括以下步驟：

將襯底通過酸處理，接著用丙酮和乙醇超聲清洗，烘干后將所述襯底放入管式爐的石英管中；

設置管式爐的石英管的真空度為10²Pa~10³Pa，溫度為350℃~700℃，然后向管式爐的石英管中通入惰性氣體，所述惰性氣體的流速為50cm³/min～180cm³/min；

先將銅粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；所述銅粉的蒸發時間為10分鐘～40分鐘，在所述襯底表面形成銅層，停止蒸鍍所述銅層；

然后將三氧化鉬粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；三氧化鉬粉的蒸發時間為3分鐘～20分鐘，在所述銅層表面形成所述三氧化鉬層，停止蒸鍍所述三氧化鉬層，繼續通入惰性氣體冷卻到室溫；及

剝離所述襯底，得到所述層疊的銅層及三氧化鉬層導電薄膜。

在其中一個實施例中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。

在其中一個實施例中，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

一種有機電致發光器件的基板，包括依次層疊的襯底、銅層及三氧化鉬層，其中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。

在其中一個實施例中，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

一種有機電致發光器件的基板的制備方法，包括以下步驟：

將襯底通過酸處理，然后用丙酮和乙醇超聲清洗，烘干后將所述襯底放入管式爐的石英管中；

設置管式爐的石英管的真空度為10²Pa~10³Pa，溫度為350℃~700℃，然后向管式爐的石英管中通入惰性氣體，所述惰性氣體的流速為50cm³/min～180cm³/min；

先將銅粉放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；所述銅粉的蒸發時間為10分鐘～40分鐘，在所述襯底表面形成銅層，停止蒸鍍所述銅層；

然后將三氧化鉬放置在舟中，將所述舟放置在管式爐的石英管中；三氧化鉬粉末的蒸發時間為3分鐘～20分鐘，在所述銅層表面形成所述三氧化鉬層，停止蒸鍍所述三氧化鉬層，繼續通入惰性氣體冷卻到室溫。

在其中一個實施例中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm，所述銅層的厚度為15nm~50nm，所述三氧化鉬層的厚度為3nm~30nm。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、發光層以及陰極，所述陽極包括依次層疊的襯底、銅層及三氧化鉬層，其中，所述銅層及三氧化鉬層為納米線結構，所述銅層的納米線直徑為60nm～700nm，三氧化鉬層的納米線直徑為4nm～150nm。