[發明專利]具有金屬柵極應激源的FINFET

有效

• 申請號: 201310007898.0
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN103325832A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 巫凱雄;奧野泰利;簡珮珊;曾偉雄
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種用于鰭式場效晶體管(FinFET)器件的柵極應激源，包括：

底面，形成在柵極層的第一部分上，所述柵極層設置在淺溝槽隔離(STI)區域上方；

第一應激源側壁，形成在所述柵極層的第二部分上，所述柵極層的第二部分設置在鰭的側壁上；以及

第二應激源側壁，形成在所述柵極層的第三部分上，所述柵極層的第三部分設置在與所述鰭間隔開的結構的結構側壁上，所述第一應激源側壁與所述第二應激源側壁沒有超過所述鰭的高度。

2.根據權利要求1所述的柵極應激源，其中，所述底面與所述第一應激源側壁和所述第二應激源側壁由金屬形成。

3.根據權利要求1所述的柵極應激源，其中，所述底面、所述第一應激源側壁和第二應激源側壁中的一個或多個被配置為對所述鰭的晶體管溝道施加應力。

4.根據權利要求1所述的柵極應激源，其中，所述底面、所述第一應激源側壁和所述第二應激源側壁中的一個或多個被配置成對所述鰭的晶體管溝道提供拉伸應力。

5.根據權利要求1所述的柵極應激源，其中，所述底面、所述第一應激源側壁和所述第二應激源側壁中的一個或多個被配置成對所述鰭的晶體管溝道提供壓縮應力。

6.根據權利要求1所述的柵極應激源，其中，所述結構是第二鰭。

7.根據權利要求1所述的柵極應激源，其中，所述結構是層間介電層。

8.一種鰭式場效晶體管(FinFET)器件，包括：

鰭，提供晶體管溝道；

結構，通過淺溝槽隔離(STI)區域與所述鰭間隔開；

柵極層，形成在所述結構、所述STI區域、所述鰭上方；以及

柵極應激源，形成在所述柵極層中設置在所述結構與所述鰭之間的所述STI區域上的第一部分上方，并且形成在所述柵極層中設置在所述鰭的側壁與所述結構的側壁上的第二部分上方。

9.根據權利要求8所述的器件，其中，所述柵極應激源的側壁沒有超過所述鰭的高度。

10.一種形成用于鰭式場效晶體管(FinFET)器件的柵極應激源的方法，包括：

在柵極層的第一部分上形成底面，所述柵極層設置在淺溝槽隔離(STI)區域上方；

在所述柵極層的第二部分上形成第一應激源側壁，所述柵極層的第二部分設置在鰭的側壁上；以及

在所述柵極層的第三部分上形成第二應激源側壁，所述柵極層的第三部分設置在與所述鰭間隔開的結構的側壁上，所述第一應激源側壁與所述第二應激源側壁沒有超過所述鰭的高度。