[發(fā)明專(zhuān)利]晶片切割方法及采用該方法制造發(fā)光器件芯片的方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310006855.0
• 申請(qǐng)日: 2013-01-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103192459A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金南勝;金維植
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): B28D5/00
• 分類(lèi)號(hào): B28D5/00;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 翟然

技術(shù)領(lǐng)域

與發(fā)明構(gòu)思一致的設(shè)備和方法涉及晶片切割及制造發(fā)光器件（LED）芯片，尤其涉及晶片切割以及采用該晶片切割方法制造LED芯片的方法，該晶片切割用于通過(guò)對(duì)晶片的一部分進(jìn)行第一切割，在其上進(jìn)行額外操作，然后對(duì)晶片進(jìn)行第二切割，來(lái)形成多個(gè)芯片。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體封裝組件工藝中，切割工藝是用于切割包括在晶片中的多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工藝或者是用于將晶片分離成各個(gè)半導(dǎo)體芯片的工藝，使得各個(gè)半導(dǎo)體芯片可安裝在用于半導(dǎo)體封裝的基本框架上，例如引線框架或印刷電路板。

切割工藝可以使用刀片、激光、等離子體蝕刻等進(jìn)行。近來(lái)，由于半導(dǎo)體器件的容量、速度及小型化方面的改進(jìn)，低k材料已經(jīng)普遍用于金屬之間的絕緣。低k材料包括具有小于硅氧化物的介電常數(shù)的電容率的材料。

然而，當(dāng)包含低k材料的晶片采用刀片被切割時(shí)，半導(dǎo)體芯片經(jīng)常部分地有缺口或者半導(dǎo)體芯片經(jīng)常破裂。為了消除這些缺陷，已經(jīng)開(kāi)發(fā)了新的切割方法，新的切割方法能夠防止半導(dǎo)體封裝組件工藝期間出現(xiàn)缺口缺陷或者破裂缺陷。

例如，在刀片切割方法中，已經(jīng)提出了其中通過(guò)調(diào)整刀片的旋轉(zhuǎn)速度來(lái)切割晶片的方法，以減少缺口和破裂缺陷。然而，當(dāng)通過(guò)調(diào)整刀片的旋轉(zhuǎn)速度來(lái)切割晶片時(shí)，可以減少缺口缺陷或者破裂缺陷的發(fā)生，但是難以獲得高質(zhì)量的半導(dǎo)體芯片。另外，當(dāng)調(diào)整刀片的旋轉(zhuǎn)速度時(shí)，每單位時(shí)間周期切割的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量減少，因而生產(chǎn)率變差。

因此，使用激光或者等離子體蝕刻的切割工藝已經(jīng)逐漸取代刀片切割方法。然而，在激光切割方法中，需要用昂貴的涂覆材料單獨(dú)涂覆半導(dǎo)體芯片的有源表面，以防止在沿晶片的劃片線形成溝槽時(shí)或者在沿著劃片線完全切割晶片時(shí)切割的硅顆粒結(jié)合到半導(dǎo)體芯片的有源表面。另外，用于形成溝槽的激光不同于用于沿著劃片線完全切割晶片的激光，而且在晶片沿著劃片線被完全切割時(shí)管芯附著膜（die?attach?film：DAF）切割得不平滑。

此外，在使用等離子體蝕刻的切割方法中，需要蝕刻掩模來(lái)防止在沿著劃片線切割晶片時(shí)半導(dǎo)體芯片的表面被蝕刻。然而，在晶片制造工藝中，蝕刻掩模通常在單獨(dú)的光刻工藝中形成，這使得整個(gè)半導(dǎo)體封裝工藝復(fù)雜并且提高了總體制造成本。

發(fā)明內(nèi)容

示范實(shí)施例可針對(duì)至少上述問(wèn)題和/或缺點(diǎn)及上面未描述的其他缺點(diǎn)。另外，不要求示范實(shí)施例克服上述缺點(diǎn)，且示范實(shí)施例可不克服上述任何問(wèn)題。

一個(gè)或更多示范實(shí)施例提供晶片切割方法及采用該切割方法制造LED芯片的方法。

根據(jù)示范實(shí)施例的一方面，一種晶片切割方法包括：在晶片的第一表面上形成半導(dǎo)體器件；對(duì)晶片的一部分和半導(dǎo)體器件進(jìn)行第一切割；及通過(guò)對(duì)已進(jìn)行第一切割的晶片的一部分進(jìn)行第二切割，將晶片和半導(dǎo)體器件分成多個(gè)半導(dǎo)體器件芯片。

在第一切割中，在晶片中形成具有相應(yīng)于晶片的厚度的30%至70%的深度的溝槽。

在第一切割中，在晶片中形成具有相應(yīng)于晶片的厚度的40%至60%的深度的溝槽。

溝槽包括：多個(gè)第一溝槽，平行于第一方向形成在晶片上；及多個(gè)第二溝槽，平行于與第一方向垂直的第二方向形成在晶片上。

第一切割通過(guò)使用刀片、激光或等離子體蝕刻執(zhí)行。

在第二切割中，通過(guò)施加物理力到晶片的第二表面，斷開(kāi)已進(jìn)行第一切割的部分，第二表面是與第一表面相反的表面。

物理力通過(guò)具有鈍刀鋒的切刀施加到晶片。

晶片切割方法還包括附著切割帶到晶片的第二表面上。

晶片切割方法還包括在對(duì)半導(dǎo)體器件執(zhí)行額外工藝。

額外工藝包括在半導(dǎo)體器件上形成附加層。

根據(jù)示范實(shí)施例的另一方面，提供一種制造LED芯片的方法，該方法包括：在晶片的第一表面上形成LED；對(duì)晶片的一部分和LED進(jìn)行第一切割；及通過(guò)對(duì)已進(jìn)行第一切割的晶片的一部分進(jìn)行第二切割，將晶片和LED分成多個(gè)LED芯片。

LED包括堆疊結(jié)構(gòu)，其中n型半導(dǎo)體層、有源層、和p型半導(dǎo)體層以順序疊置。

在第一切割中，在晶片中形成具有相應(yīng)于晶片的厚度的30%至70%的深度的溝槽。

在第一切割中，在晶片中形成具有相應(yīng)于晶片的厚度的40%至60%的深度的溝槽。

溝槽包括：多個(gè)第一溝槽，平行于第一方向形成在晶片中；及多個(gè)第二溝槽，平行于與第一方向垂直的第二方向形成在晶片中。

第一切割通過(guò)使用刀片、激光或等離子體蝕刻執(zhí)行。

在第二切割中，通過(guò)施加物理力到晶片的第二表面，斷開(kāi)已進(jìn)行第一切割的部分，第二表面是與第一表面相反的表面。