[發明專利]晶片切割方法及采用該方法制造發光器件芯片的方法

無效

• 申請號: 201310006855.0
• 申請日: 2013-01-09
• 公開（公告）號: CN103192459A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 金南勝;金維植
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種晶片切割方法，包括：

在晶片的第一表面上形成半導體器件；

對所述晶片的第一部分和所述半導體器件進行第一切割，從而產生多個半導體器件；及

通過對已進行第一切割的所述晶片的第二部分進行第二切割，將所述晶片和所述多個半導體器件分成多個半導體器件芯片。

2.如權利要求1的晶片切割方法，其中所述第一切割包括在所述晶片中形成具有相應于所述晶片的厚度的30%至70%的深度的溝槽。

3.如權利要求2的晶片切割方法，其中所述溝槽包括：

多個第一溝槽，平行于第一方向形成在所述晶片上；及

多個第二溝槽，平行于與所述第一方向垂直的第二方向形成在所述晶片上。

4.如權利要求1的晶片切割方法，其中所述第一切割通過使用刀片、激光或等離子體蝕刻執行。

5.如權利要求1的晶片切割方法，其中所述第二切割包括通過施加物理力到所述晶片的第二表面來斷開已進行第一切割的所述晶片的所述第二部分，所述第二表面是與所述第一表面相反的表面。

6.如權利要求5的晶片切割方法，其中所述物理力通過具有鈍刀鋒的切刀施加到所述晶片。

7.如權利要求1的晶片切割方法，還包括附著切割帶到所述晶片的第二表面上，所述第二表面是與所述第一表面相反的表面。

8.如權利要求1的晶片切割方法，還包括在所述第一切割之后且在所述第二切割之前對所述多個半導體器件執行額外工藝。

9.如權利要求8的晶片切割方法，其中所述額外工藝包括在所述半導體器件上形成附加層。

10.一種制造發光器件芯片的方法，該方法包括：

在晶片的第一表面上形成發光器件；

對所述晶片的第一部分和所述發光器件進行第一切割，從而產生多個發光器件；及

通過對已進行第一切割的所述晶片的第二部分進行第二切割，將所述晶片和所述多個發光器件分成多個發光器件芯片。

11.如權利要求10的方法，其中所述發光器件包括堆疊結構，其中n型半導體層、有源層、和p型半導體層在所述晶片上以此順序疊置。

12.如權利要求10的方法，其中所述第一切割步驟包括在所述晶片中形成具有相應于所述晶片的厚度的30%至70%的深度的溝槽。

13.如權利要求12的方法，其中所述溝槽包括：

多個第一溝槽，平行于第一方向形成在所述晶片中；及

多個第二溝槽，平行于與所述第一方向垂直的第二方向形成在所述晶片中。

14.如權利要求10的方法，其中所述第一切割通過使用刀片、激光或等離子體蝕刻執行。

15.如權利要求10的方法，其中所述第二切割包括通過施加物理力到所述晶片的第二表面來斷開已進行第一切割的所述晶片的所述第二部分，所述第二表面是與所述第一表面相反的表面。

16.一種方法，包括：

在晶片上形成半導體器件；

部分切割所述晶片和所述半導體器件，從而在所述晶片中產生溝槽，并產生設置在通過所述溝槽分隔的相應的各局部晶片部分上的多個半導體器件；

穿過所述溝槽完全切割所述晶片，從而產生多個半導體器件芯片。

17.如權利要求16的方法，其中每個所述溝槽具有所述晶片的厚度的30%至70%的深度。

18.如權利要求16的方法，其中部分切割所述晶片包括切穿所述晶片的接近所述半導體器件的第一部分；及

其中完全切割所述晶片包括通過沿所述溝槽的方向施加力到所述晶片的第二部分而在每個所述溝槽中切穿所述晶片的所述第二部分。

19.如權利要求18的方法，其中所述第一部分的厚度大約等于所述第二部分的厚度。

20.如權利要求16的方法，還包括在完全切割所述晶片之前在所述多個半導體器件上施加熒光體層。