[發明專利]藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法

有效

• 申請號: 201310006116.1
• 申請日: 2013-01-08
• 公開（公告）號: CN103376963A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 徐日明;郭錦華
• 申請（專利權）人: 矽統科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術領域

本發明有關于水漬容忍的方法，特別是有關于一種藉由投影觸控數據減少水漬容忍(water?tolerance)計算的方法。?

背景技術

電容觸控面板主要是為了改善因刮傷導致電阻式觸控面板劣化而產生。電容式觸控面板藉由辨別靜電場的變化來偵測觸控。在所有的觸控技術中，單點觸控電容式，其又可稱為表面電容式，為最普遍且容易制造。相較于單點觸控式，投影觸控式(projected?capacitive?type)使用單層或多層的圖案化銦錫氧化物(indium?zinc?oxide，ITO)形成一偵測矩陣。在自電容偵測技術中，這類的觸控面板包含列電極(row?electrode)3與行電極(column?electrode)4，如圖1A與圖1B所示。一旦手指碰觸到觸控面板，附近電極的自電容將會提高，此乃所有串聯的自電容累積的結果。當偵測出每個電極的自電容，控制芯片將可取得所有電極的電容變化量，且相關的習知算法可用于找出觸碰的可能位置。然而，藉由自電容式來偵測電極的電容改變的方法，可能偵測出假性觸碰點(ghost?point)，假性觸碰點會讓自電容無法準確地偵測出兩個或以上的觸碰的真正位置。?

另一方面，在互電容偵測技術中，其面板包含原始數據矩陣，而此原始數據矩陣為包含列電極3與行電極4的電容所形成的格柵。與藉由偵測整個電極的電容變化偵測目標物的自電容觸控屏不同地方在于，互電容觸控屏僅偵測相交的列電極與行電極交叉點的電容變化。不同于自電容式偵測X+Y個電極(其X與Y為原始數據矩陣的電極的數量)互電容偵測在X﹒Y個獨立交叉點的相交電極的電容，其意味著互電容可適用于偵測多點觸碰。?

雖然互電容較適用于多點觸碰的偵測，但實際偵測較自電容式困難，且每個交叉點的互電容的電容變化相當小。假設互電容是唯一可應用的數據，其通常無法支持高階觸控特性，例如觸控筆偵測。另外，在習知技術中，水漬容忍的計算量相當龐大，而無法將其內建于觸控面板控制芯片中。?

因此，從習知技術的能力和低效率下可以得知，自電容式受限于多點觸控的偵測，而互電容式的偵測數據較自電容式小?？珊侠硗普搶⒒ル娙菖c局部空間邊界偵測算法(local?spatial?boundary?detection?algorithm)結合，水漬容忍的計算量可以大幅減少，因此水漬容忍計算的算法可內建于觸控面板控制芯片內。?

發明內容

本發明的目的在提供一種藉由投影觸控數據減少水漬容忍?計算的方法，其主要用于手持裝置。此方法首先取得一差異陣列，藉由擷取差異陣列的列與行的最小值，分別取得列投影表列與行投影表列。藉由重復實施互電容偵測，可以從多個水漬區塊中排除假性水漬區塊。另一方面來說，真實水漬區塊所排除的區域為矩形，因此可以排除任何落入矩形區塊內但超出真實水漬區塊的輸入的感應訊號。藉由結合局部空間邊界偵測算法(local?spatial?boundary?detection?algorithm)的裝置，可以偵測在矩形水漬區塊但超出真實水漬區塊的真實輸入的感應訊號。由于此方法可以減少計算量，則可以將水漬容忍計算的算法內建于觸控面板的控制芯片內。?

為了達到上述目的，本發明提供一種藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法，其適用于手持裝置，可以減少計算量，水漬容忍計算的算法可以內建于觸控面板的控制芯片內。此方法包含下列步驟：取得具有列感應線與行感應線的感應陣列的電容原始數據；比較電容原始數據與參考原始數據以取得差異陣列；藉由擷取差異陣列的列的最小值取得一列投影表列；以及藉由擷取差異陣列的行的最小值取得一行投影表列。?

在本發明的一實施例中，藉由計算每條列感應線與每條行感應線的自電容，以取得感應陣列的目前原始數據。?

在本發明的一實施例中，藉由計算在列感應線與行感應線間?的互電容，以取得感應陣列的目前原始數據。?

在本發明的一實施例中，參考原始數據包含一電容矩陣，而在感應陣列上沒有觸碰或水漬區塊產生的情況下，藉由一統計模型計算電容矩陣。?

在本發明的一實施例中，藉由使用一靜態校準程序計算參考原始數據。?

在本發明的一實施例中，藉由使用一動態校準程序計算參考原始數據。?

在本發明的一實施例中，更包含藉由列投影表列與行投影表列決定至少一矩形水漬區塊的步驟。?

在本發明的一實施例中，藉由列投影表列與行投影表列決定至少一矩形水漬區塊的步驟是分別比較列投影表列與第一水漬臨限值以及比較行投影表列與第二水漬臨限值，以形成列水漬區與行水漬區，進而決定水漬區塊的一范圍。?