[發明專利]藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法有效
| 申請號: | 201310006116.1 | 申請日: | 2013-01-08 |
| 公開(公告)號: | CN103376963A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 徐日明;郭錦華 | 申請(專利權)人: | 矽統科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 藉由 投影 數據 減少 水漬 容忍 計算 方法 | ||
1.一種藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,所述方法包含下列步驟:
取得具有列感應線與行感應線的感應陣列的電容原始數據;
比較所述電容原始數據與參考原始數據以取得差異陣列;
藉由擷取所述差異陣列的列的最小值以取得一列投影表列;以及
藉由擷取所述差異陣列的行的最小值以取得一行投影表列。
2.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中藉由計算每條所述列感應線與每條所述行感應線的自電容,以取得所述感應陣列的所述目前原始數據。
3.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中藉由計算在所述列感應線與所述行感應線間的互電容,取得所述感應陣列的所述目前原始數據。
4.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中所述參考原始數據包含一電容矩陣,而在所述感應陣列上沒有觸碰或水漬區塊產生的情況下,藉由一統計模型計算所述電容矩陣。
5.如權利要求4所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中藉由使用一靜態校準程序計算所述參考原始數據。
6.如權利要求4所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中藉由使用一動態校準程序計算所述參考原始數據。
7.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,更包含藉由所述列投影表列與所述行投影表列決定至少一矩形水漬區塊的步驟。
8.如權利要求7所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中藉由所述列投影表列與所述行投影表列決定至少一矩形水漬區塊的所述步驟分別比較所述列投影表列與一第一水漬臨限值與比較所述行投影表列與一第二水漬臨限值,形成一列水漬區與一行水漬區以決定所述水漬區塊的一范圍。
9.如權利要求8所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中若在所述水漬區塊的一感應線的一感應訊號低于所述水漬臨限值,則所對應的所述列水漬區或所述行水漬區等于1,反之,若在所述水漬區塊的所述感應線的所述感應訊號高于所述水漬臨限值,則所對應的所述列水漬區或所述行水漬區等于0。
10.如權利要求9所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中若在所述水漬區塊的所述相鄰列感應線的數量高于一列臨限值,且在所述水漬區塊的所述相鄰行感應線的數量高于一行臨限值,則可過濾或忽略在所述水漬區塊的所述感應訊號。
11.如權利要求9所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,其中若在所述水漬區塊的所述相鄰列感應線的數量乘上所述相鄰行感應線的數量高于一區域臨限值,則可過濾或忽略在所述水漬區塊所產生的所述感應訊號。
12.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,更包含逐一過濾在所述矩形水漬區塊的假性觸碰區塊的步驟,其藉由互電容偵測裝置從復數個所述水漬區塊過濾假性水漬區塊來完成。
13.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,更包含在所述真實水漬區塊上的防止動態校準的步驟,當所述水漬為干枯時,防止所述真實水漬區塊被誤認為感應訊號或水漬區塊。
14.如權利要求1所述的藉由投影觸控數據減少水漬容忍計算的方法,更包含:藉由結合一局部空間邊界偵測算法的裝置,偵測在所述矩形水漬區塊內但超出所述真實水漬區塊的所述感應訊號。
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