[發明專利]太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201310004515.4
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN103296136A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 李成喆;李斗烈;金永鎮;金英水;金泳秀;李東勛
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0352
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧;羅延紅

本申請要求于2012年3月2日在韓國知識產權局提交的第10-2012-0022030號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明的一個或多個實施例涉及一種太陽能電池。

背景技術

太陽能電池是將光(諸如太陽光)轉換成電能的光電裝置，與其他能源相比，因為是可再生能源以及它們取之不盡且對生態環境友好的特性，所以太陽能電池已經變得更重要。太陽能電池的最基本的結構是p-n結型二極管，太陽能電池可以根據吸收層的材料進行分類。

普通太陽能電池可以具有在作為吸收層的前表面上且在面對前表面的后表面上設置有電極的結構。當電極設置在前表面上時，受光面積減少了與電極的面積一樣多的量。為了解決該問題，使用了背接觸結構，在背接觸結構中，電極僅設置在后表面上。

發明內容

本發明的一個或多個實施例包括一種具有背接觸結構的太陽能電池及其制造方法，在該太陽能電池中，通過控制導電類型摻雜部分之間的間隙改善效率。

另外的方面將在下面的描述中被部分地闡述，部分地通過描述將是明顯的，或者可以通過提出的實施例的實踐獲得。

根據本發明的一個或多個實施例，制造太陽能電池的方法包括：在半導體基底上形成具有第一導電類型的摻雜部分；在半導體基底上生長氧化物層；在氧化物層中形成多個凹進部分；在半導體基底上進一步生長氧化物層；在半導體基底的與凹進部分對應的區域上形成具有第二導電類型的摻雜部分；形成電結合到具有第一導電類型的摻雜部分的第一導電電極；以及在半導體基底上形成電結合到具有第二導電類型的摻雜部分的第二導電電極，其中，具有第一導電類型的摻雜部分與具有第二導電類型的摻雜部分之間的間隙對應于通過進一步生長氧化物層形成的氧化物層的寬度。

所述方法還可以包括：在半導體基底的后表面以比半導體基底的前表面的濃度更高的濃度摻雜第一導電類型雜質，以形成背表面場(BSF)，其中，前表面可以被構造成接收光。

可以通過以下步驟形成所述多個凹進部分：在氧化物層的第一部分上形成膏體；蝕刻氧化物層的被暴露的第二部分，第二部分包括除第一部分之外的區域；除去膏體；以及在除具有第一導電類型的摻雜部分上的氧化物層之外的區域中形成多個凹進部分。

所述多個凹進部分可位于第一位置與第二位置之間，第一位置是具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的位置，第二位置是因為被暴露的第二部分被蝕刻進而除去具有第一導電類型的摻雜部分的部分而使半導體基底被暴露的位置。

氧化物層可以進一步生長在具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的區域上，以及半導體基底被暴露的部分上，從而使具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的區域上的氧化物層的寬度方向上的厚度不同于半導體基底被暴露的部分上的氧化物層的高度方向上的厚度。

具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的區域上的氧化物層的寬度方向上的厚度可以比半導體基底被暴露的部分上的氧化物層的高度方向上的厚度大。

所述方法還可以包括：從半導體基底被暴露的部分除去氧化物層以暴露半導體基底。

所述方法還可以包括：通過將摻雜劑注入半導體基底被暴露的部分以使第二導電雜質在半導體基底中擴散來形成具有第二導電類型的摻雜部分。

具有第二導電類型的摻雜部分和具有第一導電類型的摻雜部分可以形成在半導體基底的后表面上。

所述方法還可以包括：在半導體基底上的形成有具有第二導電類型的摻雜部分的位置形成覆層，以及執行紋理化工藝，以從半導體基底的被構造成接收光的表面除去具有第二導電類型的摻雜部分。

具有第一導電類型的摻雜部分可以被氧化物層覆蓋，半導體基底的與凹進部分對應的區域可以位于被氧化物層覆蓋的具有第一導電類型的摻雜部分的區域之間，與通過進一步生長氧化物層形成的氧化物層的厚度對應的間隙被維持。

具有第一導電類型的摻雜部分和具有第二導電類型的摻雜部分通過氧化物層可以彼此隔離。

具有第一導電類型的摻雜部分可以被氧化物層覆蓋，并且通過氧化物層中的接觸孔電結合到第一導電電極以形成第一阻抗接觸點，具有第二導電類型的摻雜部分可以擴散地形成在半導體基底中，并且電結合到第二導電電極，以形成第二阻抗接觸點。

所述方法還可以包括：在半導體基底的前表面上順序地形成鈍化層和抗反射層，所述前表面被構造成接收光。