[發明專利]太陽能電池及其制造方法

無效

• 申請號: 201310004515.4
• 申請日: 2013-01-07
• 公開（公告）號: CN103296136A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發明（設計）人: 李成喆;李斗烈;金永鎮;金英水;金泳秀;李東勛
• 申請（專利權）人: 三星SDI株式會社
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0352
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 郭鴻禧;羅延紅

1.一種制造太陽能電池的方法，所述方法包括：

在半導體基底上形成具有第一導電類型的摻雜部分；

在半導體基底上生長氧化物層；

在氧化物層中形成多個凹進部分；

在半導體基底上進一步生長氧化物層；

在半導體基底的與凹進部分對應的區域上形成具有第二導電類型的摻雜部分；

形成電結合到具有第一導電類型的摻雜部分的第一導電電極；以及

在半導體基底上形成電結合到具有第二導電類型的摻雜部分的第二導電電極，

其中，具有第一導電類型的摻雜部分與具有第二導電類型的摻雜部分之間的間隙對應于通過進一步生長氧化物層形成的氧化物層的寬度。

2.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：在半導體基底的后表面以比半導體基底的前表面的濃度更高的濃度摻雜第一導電類型雜質，以形成背表面場，

其中，前表面被構造成接收光。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，通過以下步驟形成所述多個凹進部分：

在氧化物層的第一部分上形成膏體；

蝕刻氧化物層的被暴露的第二部分，第二部分包括除第一部分之外的區域；

除去膏體；以及

在除具有第一導電類型的摻雜部分上的氧化物層之外的區域中形成所述多個凹進部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，所述多個凹進部分位于第一位置與第二位置之間，第一位置是具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的位置，第二位置是因為被暴露的第二部分被蝕刻進而除去具有第一導電類型的摻雜部分的部分而使半導體基底被暴露的位置。

5.根據權利要求4所述的方法，其中，氧化物層進一步生長在具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的區域上，以及半導體基底被暴露的部分上，從而使具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的區域上的氧化物層的寬度方向上的厚度不同于半導體基底被暴露的部分上的氧化物層的高度方向上的厚度。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，具有第一導電類型的摻雜部分和氧化物層堆疊的區域上的氧化物層的寬度方向上的厚度比半導體基底被暴露的部分上的氧化物層的高度方向上的厚度大。

7.根據權利要求5所述的方法，所述方法還包括：從半導體基底被暴露的部分除去氧化物層以暴露半導體基底。

8.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：通過將摻雜劑注入半導體基底被暴露的部分以使第二導電雜質在半導體基底中擴散來形成具有第二導電類型的摻雜部分。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，具有第二導電類型的摻雜部分和具有第一導電類型的摻雜部分形成在半導體基底的后表面上。

10.根據權利要求8所述的方法，所述方法還包括：

在半導體基底上的形成有具有第二導電類型的摻雜部分的位置形成覆層，以及

執行紋理化工藝，以從半導體基底的被構造成接收光的表面除去具有第二導電類型的摻雜部分。

11.根據權利要求1所述的方法，其中，具有第一導電類型的摻雜部分被氧化物層覆蓋，以及

其中，半導體基底的與凹進部分對應的區域位于被氧化物層覆蓋的具有第一導電類型的摻雜部分的區域之間，與通過進一步生長氧化物層形成的氧化物層的厚度對應的間隙被維持。

12.根據權利要求11所述的方法，其中，具有第一導電類型的摻雜部分和具有第二導電類型的摻雜部分通過氧化物層彼此隔離。

13.根據權利要求1所述的方法，其中，具有第一導電類型的摻雜部分被氧化物層覆蓋，并且通過氧化物層中的接觸孔電結合到第一導電電極以形成第一阻抗接觸點，以及

其中，具有第二導電類型的摻雜部分擴散地形成在半導體基底中，并且電結合到第二導電電極，以形成第二阻抗接觸點。

14.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括：在半導體基底的前表面上順序地形成鈍化層和抗反射層，所述前表面被構造成接收光。