[發明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請號: 201310002104.1
• 申請日: 2013-01-04
• 公開（公告）號: CN103107133A
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 陳華斌;王琳琳;高英強;袁劍峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;G02F1/136;G03F7/00
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及陣列基板及其制造方法和顯示裝置。?

背景技術

目前，顯示產品在人們日常生活中越來越普及，相關的顯示技術也越來越受到人們的關注。顯示領域具有廣闊的市場前景，并吸引了大量的企業、院所從事顯示技術的研究和開發。?

TFT-LCD（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜晶體管液晶顯示器）的工藝復雜、成本較高。其中，Mask（掩膜版）工藝過程十分考驗設備和工藝的精度，多一次Mask工藝會使生產成本增加很多，故在不影響產品性能的基礎上減少Mask的數量是非常必要的。自TFT-LCD發明以來人們一直致力于減少Mask工藝數量的工作。?

如圖1所示，目前ADS（Advanced?Super?Dimension?Switch，高級超維場轉換技術）模式的陣列基板制作方法通常需要5次Mask，包括：步驟101中的第一層透明導電層掩膜版（由于透明導電層通常采用氧化銦錫ITO，因此第一層透明導電層掩膜版也可稱為1st?ITO?Mask）、步驟102中的柵極掩膜版（Gate?Mask）、步驟103中的源漏極掩膜版（SDT?Mask）、步驟104中的過孔掩膜版（Via?Hole?Mask）、步驟105中的第二層透明導電層掩膜版（2nd?ITO?Mask）。由于現有ADS模式陣列基板的制作方法需要的Mask工藝次數比較多，使得基于ADS技術的液晶顯示器的成本較高，且生產效率無法得到提升。?

發明內容

本發明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法，以及使用該陣列基板的顯示裝置，用以降低陣列基板的生產成本并提高生產效率。?

為達到上述目的，本發明提供的技術方案如下：?

一種陣列基板制造方法，包括公共電極層、柵金屬層、半導體層、源漏電極層、鈍化層及像素電極層的制作過程；其中，?

所述鈍化層和所述像素電極通過一次構圖工藝形成。?

優選的，所述制造方法包括：?

步驟1、在基板上通過構圖工藝形成公共電極的圖案；?

步驟2、在經過所述步驟1的基板上通過構圖工藝形成柵極的圖案；?

步驟3、在經過所述步驟2所述的基板上通過構圖工藝形成半導體層、源極和漏極的圖案；?

步驟4、在經過所述步驟3所述的基板上采用一次構圖工藝形成像素電極和鈍化層的圖案。?

優選的，所述步驟4具體包括：?

在所述步驟3制作的基板上形成鈍化層；?

再在所述鈍化層上涂覆第一光刻膠，并利用雙色調掩模板對第一光刻膠進行曝光，其中，對應鈍化層過孔處為第一光刻膠完全曝光區域，對應條狀像素電極處為第一光刻膠半曝光區域，對所述第一光刻膠完全曝光區域和所述第一光刻膠半曝光區域以外的區域為第一光刻膠完全保留區域；?

對曝光后的基板進行顯影，得到第一光刻膠的圖案；?

對所述光刻膠完全去除區域進行刻蝕，形成鈍化層過孔，并暴露出部分源漏電極層；?

利用灰化工藝對第一光刻膠進行灰化，去除所述半曝光區域的光刻膠，所述光刻膠完全保留區域呈狹縫狀圖案；?

形成第二透明導電層；?

在所述第二透明導電層上涂覆第二光刻膠，利用光刻膠的流動性使所述第二光刻膠平坦化，利用所述第一光刻膠的厚度，使所述第一光刻膠上方的第二光刻膠的厚度小于其他區域，除保留第一光刻膠以外的區域；?

對第二光刻膠進行灰化，去除所述保留第一光刻膠以外區域的第二光刻膠，并暴露出所述第二透明導電層；；?

對所述暴露出的第二層透明導電層進行刻蝕，得到具有狹縫的像素電極；?

對殘留的第一光刻膠和第二光刻膠進行剝離，形成所述鈍化層和像素電極的圖案。?

優選的，所述步驟4具體包括：?

在所述步驟3制作的基板上形成鈍化層；?

再在所述鈍化層上涂覆第一光刻膠，并利用雙色調掩模板對第一光刻膠進行曝光，其中，對應鈍化層過孔處為第一光刻膠完全曝光區域，對應條狀像素電極處為第一光刻膠半曝光區域，對所述第一光刻膠完全曝光區域和所述第一光刻膠半曝光區域以外的區域為第一光刻膠完全保留區域；?

對曝光后的基板進行顯影，得到第一光刻膠的圖案；?

對所述光刻膠完全去除區域進行刻蝕，形成鈍化層過孔，并暴露出部分源漏電極層；?

利用灰化工藝對第一光刻膠進行灰化，去除所述半曝光區域的光刻膠，所述光刻膠完全保留區域呈狹縫狀圖案；?

形成第二透明導電層；?