[發(fā)明專利]陣列基板及其制造方法和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310002104.1 | 申請日： | 2013-01-04 |
| 公開（公告）號： | CN103107133A | 公開（公告）日： | 2013-05-15 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳華斌;王琳琳;高英強;袁劍峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;G02F1/136;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人： | 黃志華 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板制造方法，其特征在于，包括公共電極層、柵金屬層、半導(dǎo)體層、源漏電極層、鈍化層及像素電極層的制作過程；其中，
所述鈍化層和所述像素電極通過一次構(gòu)圖工藝形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
步驟1、在基板上通過構(gòu)圖工藝形成公共電極的圖案；
步驟2、在經(jīng)過所述步驟1的基板上通過構(gòu)圖工藝形成柵極的圖案；
步驟3、在經(jīng)過所述步驟2所述的基板上通過構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層、源極和漏極的圖案；
步驟4、在經(jīng)過所述步驟3所述的基板上采用一次構(gòu)圖工藝形成像素電極和鈍化層的圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟4具體包括：
在所述步驟3制作的基板上形成鈍化層；
再在所述鈍化層上涂覆第一光刻膠，并利用雙色調(diào)掩模板對第一光刻膠進行曝光，其中，對應(yīng)鈍化層過孔處為第一光刻膠完全曝光區(qū)域，對應(yīng)條狀像素電極處為第一光刻膠半曝光區(qū)域，對所述第一光刻膠完全曝光區(qū)域和所述第一光刻膠半曝光區(qū)域以外的區(qū)域為第一光刻膠完全保留區(qū)域；
對曝光后的基板進行顯影，得到第一光刻膠的圖案；
對所述光刻膠完全去除區(qū)域進行刻蝕，形成鈍化層過孔，并暴露出部分源漏電極層；
利用灰化工藝對第一光刻膠進行灰化，去除所述半曝光區(qū)域的光刻膠，所述光刻膠完全保留區(qū)域呈狹縫狀圖案；
形成第二透明導(dǎo)電層；
在所述第二透明導(dǎo)電層上涂覆第二光刻膠，利用光刻膠的流動性使所述第二光刻膠平坦化，利用所述第一光刻膠的厚度，使所述第一光刻膠上方的第二光刻膠的厚度小于其他區(qū)域，除保留第一光刻膠以外的區(qū)域；
對第二光刻膠進行灰化，去除所述保留第一光刻膠以外區(qū)域的第二光刻膠，并暴露出所述第二透明導(dǎo)電層；；
對所述暴露出的第二層透明導(dǎo)電層進行刻蝕，得到具有狹縫的像素電極；
對殘留的第一光刻膠和第二光刻膠進行剝離，形成所述鈍化層和像素電極的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟4具體包括：
在所述步驟3制作的基板上形成鈍化層；
再在所述鈍化層上涂覆第一光刻膠，并利用雙色調(diào)掩模板對第一光刻膠進行曝光，其中，對應(yīng)鈍化層過孔處為第一光刻膠完全曝光區(qū)域，對應(yīng)條狀像素電極處為第一光刻膠半曝光區(qū)域，對所述第一光刻膠完全曝光區(qū)域和所述第一光刻膠半曝光區(qū)域以外的區(qū)域為第一光刻膠完全保留區(qū)域；
對曝光后的基板進行顯影，得到第一光刻膠的圖案；
對所述光刻膠完全去除區(qū)域進行刻蝕，形成鈍化層過孔，并暴露出部分源漏電極層；
利用灰化工藝對第一光刻膠進行灰化，去除所述半曝光區(qū)域的光刻膠，所述光刻膠完全保留區(qū)域呈狹縫狀圖案；
形成第二透明導(dǎo)電層；
通過離地剝離工藝去除光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠，形成具有狹縫的像素電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟1具體為：在基板上形成第一透明導(dǎo)電層，利用第一透明導(dǎo)電層掩膜版進行構(gòu)圖工藝以形成公共電極的圖案。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述公共電極的圖案為板狀電極或者狹縫狀電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟2具體為：在基板上形成柵金屬薄膜，采用柵極掩膜版進行構(gòu)圖工藝形成柵極的圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述步驟3具體為：在基板上形成半導(dǎo)體層和源漏金屬層，利用源漏極掩膜版進行構(gòu)圖工藝以形成源極、漏極和半導(dǎo)體層的圖案。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板制造方法，其特征在于，半導(dǎo)體層與源漏電極層之間還設(shè)置有歐姆接觸層。
10.一種陣列基板，其特征在于，該陣列基板為采用權(quán)利要求1-8任一所述陣列基板制造方法制造的陣列基板。
11.一種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置包含權(quán)利要求9任一所述陣列基板。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
