[發(fā)明專利]晶圓級(jí)封裝構(gòu)造及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310001318.7
• 申請(qǐng)日: 2013-01-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103021984A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志成
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/485
• 分類號(hào): H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種可降低鉆孔信賴度的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造及其制造方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)今的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)在晶圓等級(jí)封裝(wafer?level?package)制程中，例如扇出型晶圓級(jí)封裝(Fan-Out?Wafer-Level-Package)，常常需要進(jìn)行通孔制作工藝。例如，由于在重布線層與芯片的有源表面之間存在絕緣層，因此必須進(jìn)行對(duì)應(yīng)的盲孔電鍍，以使重布線層與芯片有源表面的接墊通過(guò)絕緣層中的電鍍盲孔而構(gòu)成電性連接。

現(xiàn)有盲孔電鍍采用的盲孔制作技術(shù)主要是使用激光鉆孔(laser?drilling)。然而，對(duì)于要求更小的盲孔間距(例如，小于100微米)或是更大的盲孔深寬比的封裝產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，鉆孔難度將會(huì)大幅提升。

舉例來(lái)說(shuō)，對(duì)于欲在具有一定厚度的基材形成小孔徑的盲孔而言，鉆孔深度因?yàn)榛暮穸榷兇笫沟勉@孔時(shí)間就更長(zhǎng)，導(dǎo)致激光加工成本的提高，同時(shí)對(duì)激光設(shè)備的精密度也相對(duì)應(yīng)具有更高的要求；后續(xù)進(jìn)行盲孔電鍍也會(huì)因?yàn)槊た咨疃容^大的關(guān)系使得電鍍難度與制程時(shí)間都會(huì)大幅增加。

故，有必要提供一種晶圓級(jí)封裝構(gòu)造及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶圓級(jí)封裝構(gòu)造，其在芯片焊墊上設(shè)置增厚金屬物，可相對(duì)減少焊墊與重布線層之間的導(dǎo)通孔的鉆孔深度，減少鉆孔難度與時(shí)間，提升盲孔電鍍的良率。

為達(dá)成前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶圓級(jí)封裝構(gòu)造，所述晶圓級(jí)封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對(duì)所述支撐層且設(shè)有一鈍化層與數(shù)個(gè)焊墊，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物為一電鍍成形的金屬層或金屬柱狀凸塊；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個(gè)盲孔，所述盲孔分別對(duì)應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過(guò)所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種晶圓級(jí)封裝構(gòu)造，所述晶圓級(jí)封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對(duì)所述支撐層且設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一球狀部與一突起部，所述球狀部具有較大的體積；所述突起部具有較小的體積且連接于所述球狀部的頂端，並具有一扯斷部；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個(gè)盲孔，所述盲孔分別對(duì)應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過(guò)所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種晶圓級(jí)封裝構(gòu)造，所述晶圓級(jí)封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對(duì)所述支撐層且設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一凸塊及一設(shè)于所述凸塊上并包覆所述凸塊頂面的金屬保護(hù)層；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個(gè)盲孔，所述盲孔分別對(duì)應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過(guò)所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。

本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的制造方法，其包含下列步驟：提供一支撐層；設(shè)置一芯片于所述支撐層上，所述芯片具有一有源表面，所述有源表面背對(duì)所述支撐層且設(shè)有數(shù)個(gè)焊墊，每一所述焊墊上預(yù)先設(shè)有一增厚金屬物；設(shè)置一絕緣層于所述芯片與所述支撐層上；于所述絕緣層成形數(shù)個(gè)盲孔，其中所述盲孔分別對(duì)應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及設(shè)置一重布線層于所述絕緣層上，其中所述重布線層通過(guò)所述盲孔電性連接與所述增厚金屬物。

本發(fā)明在制作連接重布線層與芯片焊墊的盲孔之前，先于芯片焊墊上設(shè)置增厚金屬物，如此一來(lái)，可相對(duì)減少盲孔的深度，進(jìn)而減少鉆孔難度與時(shí)間，提升盲孔電鍍的良率。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖1A是圖1的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的局部示意圖。

圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2A～圖2C是圖2的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的增厚金屬物的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3A～圖3C是圖3的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的增厚金屬物的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級(jí)封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。