[發(fā)明專利]晶圓級封裝構(gòu)造及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310001318.7
• 申請日: 2013-01-04
• 公開（公告）號: CN103021984A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志成
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/60
• 代理公司: 上海翼勝專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，包含有：

一支撐層；

一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有一鈍化層與數(shù)個焊墊，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物為一電鍍成形的金屬層或金屬柱狀凸塊；

一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及

一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述增厚金屬物為一銅層。

3.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，包含有：

一支撐層；

一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一球狀部與一突起部，所述球狀部具有較大的體積；所述突起部具有較小的體積且連接于所述球狀部的頂端，並具有一扯斷部；

一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及

一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。

4.如權(quán)利要求3所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述增厚金屬物的材質(zhì)選自金、銅、銀、錫或其合金。

5.如權(quán)利要求4所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述突起部呈錐狀、柱狀或球狀。

6.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述突起部呈柱狀，且具有一平坦頂面或一圓弧頂面。

7.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，包含有：

一支撐層；

一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一凸塊及一設(shè)于所述凸塊上并包覆所述凸塊頂面的金屬保護(hù)層；

一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及

一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。

8.如權(quán)利要求7所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述凸塊為至少一錫凸塊，且所述金屬保護(hù)層材質(zhì)可為鎳、銅或其合金。

9.如權(quán)利要求7所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述金屬保護(hù)層具有一平坦的表面、一周邊低于中心的圓弧表面或是一周邊高于中心的圓弧表面。

10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述晶圓級封裝構(gòu)造進(jìn)一步包含：

一圖案化的阻焊層，設(shè)于所述重布線層上，所述阻焊層具有數(shù)個焊接區(qū)，所述焊接區(qū)局部裸露所述重布線層；以及

數(shù)個錫球，分別設(shè)于所述焊接區(qū)上而電性連接所述重布線層。

11.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述支撐層上設(shè)有一對位環(huán)與一接地環(huán)，所述芯片設(shè)置于所述對位環(huán)內(nèi)。

12.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述支撐層為一環(huán)氧樹脂與玻璃纖維的復(fù)合層，且所述絕緣層為一封裝膠材層。

13.一種晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，包含有：

提供一支撐層；

設(shè)置一芯片于所述支撐層上，所述芯片具有一有源表面，其中所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上預(yù)先設(shè)有一增厚金屬物；

設(shè)置一絕緣層于所述芯片與所述支撐層上；

于所述絕緣層成形數(shù)個盲孔，其中所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及

設(shè)置一重布線層于所述絕緣層上，其中所述重布線層通過所述盲孔電性連接與所述增厚金屬物。

14.如權(quán)利要求13所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，其中在設(shè)置所述芯片于所述支撐層上的步驟中，所述芯片的有源表面設(shè)有一鈍化層，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，所述增厚金屬物為一電鍍成形的金屬層，其厚度介于1微米至10微米之間。