[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201280074138.5
• 申請日: 2012-07-19
• 公開（公告）號: CN104380459B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: 富田和朗
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/12;H01L23/522;H01L27/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 權太白,謝麗娜

1.一種半導體裝置，具有元件形成區域和在俯視時包圍所述元件形成區域的保護環區域，所述半導體裝置的特征在于，

具有：保護環(GR)，在最上部包含以在所述俯視時包圍所述元件形成區域的周圍的方式形成于所述保護環區域的保護環用最上層導電層(TCL)；

鈍化膜(PL)，以覆蓋所述保護環用最上層導電層(TCL)的方式形成于所述保護環區域和所述元件形成區域；

第1感光性有機絕緣膜(PO1)，與所述鈍化膜(PL)相接地形成；以及

第2感光性有機絕緣膜(PO2)，形成在所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)上，

在所述鈍化膜(PL)的表面，在比所述保護環用最上層導電層(TCL)靠所述元件形成區域側即靠內周側形成有階梯部(TRE)，而且通過所述階梯部(TRE)，比所述保護環用最上層導電層(TCL)靠內周側的所述鈍化膜(PL)的所述表面低于所述保護環用最上層導電層(TCL)正上方的所述鈍化膜(PL)的所述表面，

所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)在俯視時覆蓋在所述階梯部(TRE)的整周上，而且在整周上具有相比所述階梯部(TRE)位于外周側的外周端緣(ED1)，

所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)的所述外周端緣(ED1)和所述第2感光性有機絕緣膜(PO2)的外周端緣(ED2)雙方位于所述保護環用最上層導電層(TCL)的正上方。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第2感光性有機絕緣膜(PO2)覆蓋所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)的所述外周端緣(ED1)，所述第2感光性有機絕緣膜(PO2)的外周端緣(ED2)相比所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)的所述外周端緣(ED1)位于外周側。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

貫通所述鈍化膜(PL)的槽(SS)形成為在俯視時包圍所述保護環區域的外周，

所述第2感光性有機絕緣膜(PO2)埋入到所述槽(SS)內。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第2感光性有機絕緣膜(PO2)的外周端緣(ED2)相比所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)的所述外周端緣(ED1)位于內周側。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，

貫通所述鈍化膜(PL)的槽(SS)形成為在俯視時包圍所述保護環區域的外周，

所述第1感光性有機絕緣膜(PO1)埋入到所述槽(SS)內。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置還具有：

焊盤用最上層導電層(TCL)，從與所述保護環用最上層導電層(TCL)相同的層分離而形成；以及

凸起電極(BP)，以與所述焊盤用最上層導電層(TCL)電連接的方式形成于所述焊盤用最上層導電層(TCL)的焊盤部的正上方。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置還具有：焊盤用最上層導電層(TCL)，從與所述保護環用最上層導電層(TCL)相同的層分離而形成；

再配線層(RIL)，形成為在所述焊盤用最上層導電層(TCL)上與所述焊盤用最上層導電層(TCL)的焊盤部連接，而且從所述焊盤用最上層導電層(TCL)的所述焊盤部的正上方區域延伸到所述正上方區域以外的其他區域；以及

凸起電極(BP)，形成在所述再配線層(RIL)上，而且與所述再配線層(RIL)連接，

所述凸起電極(BP)位于所述其他區域的正上方。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述保護環用最上層導電層(TCL)由含有鋁的材質構成。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置(SD)為芯片狀態。

10.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置(WF)為晶圓狀態。