[發明專利]半導體組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201280072193.0
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN104205327B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 蘇賽賢;蕭元甄;王傳偉;蘇孝文;陳浩洋
• 申請（專利權）人: NEPES株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 謝順星,張晶

技術領域

本發明的技術思想涉及一種半導體組件，更詳細而言，涉及一種包括穿過布線的半導體組件及其制造方法。

背景技術

近年來，半導體元件隨著工序技術的微細化和功能的多樣化，芯片尺寸減小，且伴隨輸出、輸入端子數量的增加，電極焊盤間距逐漸微細化，隨著各種功能的融合化的加速化，將各種元件集成于一個封裝內的系統級封裝技術逐漸興起。并且，系統級封裝技術中，為了將動作間噪音最小化并提高信號速度，逐漸變更為能夠維持較短的信號距離的三維層疊技術方式。另一方面，為了應對這種技術的改善要求的同時，為了控制產品價格上升且為了提高生產率、降低制造成本，導入了包括多個半導體芯片的半導體組件。

當在現有的封裝中層疊多個半導體芯片的情況下，為了相互連接上側半導體芯片和下側半導體芯片，通常在形成下側半導體芯片的扇出式封裝之后，在封裝模型上通過激光鉆頭等形成通孔，在所述通孔中填充導電性物質來形成穿過布線。但存在難以精密地形成在封裝模型上形成的通孔且難以在所述通孔中致密地填充導電性物質的局限性。

發明內容

(一)要解決的技術問題

本發明的技術思想所要完成的技術課題在于提供一種包括精密且工序缺陷低的穿過布線的制造半導體組件的方法。

(二)技術方案

用于實現上述技術課題的本發明的技術思想的制造半導體組件的方法，其包括如下步驟：準備導電部件的步驟；去除所述導電部件的一部分而形成平面部和從所述平面部突出的突出部的步驟；形成密封所述導電部件的密封部件的步驟；去除所述密封部件的一部分使所述導電部件的所述突出部從所述密封部件露出來形成穿過布線的步驟；在所述穿過布線上形成與所述穿過布線電連接的再布線圖案層的步驟；在所述再布線圖案層上安裝半導體芯片的步驟；以及形成與所述穿過布線電連接的外部連接部件的步驟。

用于解決上述技術課題的本發明的技術思想的半導體組件，其利用上述的制造方法進行制造，所述半導體組件包括：穿過布線，利用去除導電部件的一部分而形成的突出部來形成；再布線圖案層，位于所述穿過布線上，并且與所述穿過布線電連接；半導體芯片，位于所述再布線圖案層上，并且與所述再布線圖案層電連接；以及外部連接部件，與所述穿過布線電連接。

(三)有益效果

本發明的技術思想的半導體組件，與現有的填充通孔來形成穿過布線的情況相比，由于預先從導電部件形成突出部，利用所述突出部形成穿過布線，因此能夠提供精密且工序缺陷低的穿過布線。

并且，不要求用于形成所述穿過布線的在密封部件上進行通孔形成工序和用導電物填充所述通孔的填充工序，因此制造工序變得簡單，能夠提供產率增加、工序費用減少的效果。

附圖說明

圖1是表示本發明的一個實施例的半導體組件的俯視圖。

圖2是沿著A-A線切割本發明的一個實施例的圖1的半導體組件的剖視圖。

圖3至圖22是按照工序步驟表示制造本發明的一個實施例的圖1的制造半導體組件的方法的剖視圖。

圖23是表示本發明的一個實施例的半導體組件的剖視圖。

圖24是表示本發明的一個實施例的半導體組件的剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的優選實施例進行詳細說明。本發明的實施例是為了向該技術領域的技術人員更完整地說明本發明的技術思想而提供的，以下實施例可以變更為多種其他方式，本發明的技術思想的范圍并不限定于以下實施例，而是這些實施例使本發明公開內容更充實、完整，是為了向本領域技術人員完整地傳達本發明的技術思想而提供的。如本說明書中所使用的術語“和/或”包括相應列舉的項目中任意一個和一個以上的所有組合。相同符號始終意味著相同的要件。并且，附圖中的各種要件和區域是概略描繪。因此，本發明的技術思想并不受附圖中繪出的相對的大小或間隔的限制。

圖1是表示本發明的一個實施例的半導體組件100的俯視圖。圖2是沿著A-A線切割本發明的一個實施例的圖1的半導體組件100的剖視圖。

參照圖1和圖2，半導體組件100包括穿過布線110、半導體芯片120、密封部件130、再布線圖案層140、底部填充層160及外部連接部件170。