[發明專利]半導體組件及其制造方法

有效

• 申請號: 201280072193.0
• 申請日: 2012-04-06
• 公開（公告）號: CN104205327B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 蘇賽賢;蕭元甄;王傳偉;蘇孝文;陳浩洋
• 申請（專利權）人: NEPES株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司11002
• 代理人: 謝順星,張晶

1.一種制造半導體組件的方法，其包括如下步驟：

準備導電部件的步驟；

去除所述導電部件的一部分形成平面部和從所述平面部突出的突出部的步驟；

形成密封所述導電部件的密封部件的步驟；

去除所述密封部件的一部分使所述導電部件的所述突出部從所述密封部件露出來形成穿過布線的步驟；

在所述穿過布線上形成與所述穿過布線電連接的再布線圖案層的步驟；

去除所述穿過布線的一部分形成具有與所述密封部件的表面相比凹陷的表面的穿過布線的步驟；

在所述再布線圖案層上安裝半導體芯片的步驟；以及

形成與所述穿過布線電連接的外部連接部件的步驟，

所述外部連接部件粘合在所述穿過布線的所述凹陷的表面。

2.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，在實施安裝所述半導體芯片的步驟之后，還包括形成填充所述半導體芯片與再布線圖案層之間的空間的底部填充層的步驟。

3.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，形成具有所述凹陷的表面的穿過布線的步驟利用濕法蝕刻來實施。

4.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，在實施形成所述突出部的步驟之后，還包括為了在所述導電部件上去除不需要的殘留物，對形成有所述突出部的所述導電部件進行清洗的步驟。

5.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，形成所述穿過布線的步驟包括利用回蝕或機械化學拋光來去除所述密封部件的一部分和所述導電部件的所述平面部的步驟。

6.根據權利要求5所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

形成所述穿過布線的步驟在實施利用回蝕或機械化學拋光來去除所述密封部件的一部分和所述導電部件的所述平面部的步驟之后，

還包括為了去除不需要的殘留物，對所述穿過布線進行清洗的步驟。

7.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

在實施形成所述密封部件的步驟之前，還包括將所述導電部件粘合在第一載體基板上的步驟。

8.根據權利要求7所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

使所述突出部露出形成所述穿過布線的步驟還包括如下步驟：

在所述露出的突出部上粘合第二載體基板的步驟；以及

去除所述第一載體基板的步驟。

9.根據權利要求8所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

在實施形成所述再布線圖案層的步驟之后，還包括如下步驟：

去除所述第二載體基板的步驟；以及

在所述再布線圖案層上粘合第三載體基板的步驟。

10.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

形成所述再布線圖案層的步驟包括如下步驟：

在所述穿過布線上形成使所述穿過布線露出的第一絕緣層的步驟；

在所述第一絕緣層上形成與所述穿過布線電連接的再布線圖案的步驟；以及

在所述再布線圖案上形成使所述再布線圖案的一部分露出的第二絕緣層的步驟。

11.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

形成所述突出部的步驟包括利用光刻和蝕刻工序去除所述導電部件的一部分形成所述突出部的步驟。

12.根據權利要求1所述的制造半導體組件的方法，其特征在于，

形成所述突出部的步驟包括沖壓加工所述導電部件來形成所述突出部的步驟。

13.一種半導體組件，其包括：

穿過布線，用密封部件對去除導電部件的一部分形成的突出部進行密封而形成；

再布線圖案層，位于所述穿過布線上，并且與所述穿過布線電連接；

半導體芯片，位于所述再布線圖案層上，并且與所述再布線圖案層電連接；以及

外部連接部件，與所述穿過布線電連接，

所述穿過布線具有與所述密封部件的表面相比凹陷的表面，

所述外部連接部件粘合在所述穿過布線的所述凹陷的表面上。

14.根據權利要求13所述的半導體組件，其特征在于，

所述半導體組件還包括填充所述半導體芯片與再布線圖案層之間的空間的底部填充層。