[發明專利]后向發射的OLED設備無效
| 申請號: | 201280070918.2 | 申請日: | 2012-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN104137292A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | V.謝里;F.利納爾;V.索維內 | 申請(專利權)人: | 法國圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;劉春元 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 oled 設備 | ||
技術領域
本發明的目的在于有機電致發光二極管的設備。
背景技術
已知的有機電致發光系統或OLED(對于英語中的“Organic?Light?Emitting?Diodes(有機發光二極管)”)包括有機電致發光層的堆疊,所述有機電致發光層由以導電薄層的形式配備它的電極來供電。當電壓被施加在兩個電極之間時,電流穿過有機層,于是通過電致發光而生成光。
在后向發射OLED設備(英語中bottom?OLED(底部OLED))中,上電極或陰極是典型地具有小于或等于0.1Ω/方塊的方塊電阻的反射金屬層,并且下電極或陽極是透明層,其被沉積在玻璃或塑料襯底上,讓所發射的光通過,其方塊電阻大多個數量級。
文檔WO99/02017觀察到,在陽極和陰極之間方塊電阻的非常大差異同時導致亮度的非均質性、持續時間和可靠性的減低,這對于大尺寸的設備尤其如此。同樣,其提出一種有機電致發光二極管的設備,其具有給定方塊電阻R1的透明陽極和具有接近的給定方塊電阻R2的陰極,比率r=R2/R1被包括在0.3和3之間。
作為示例,陽極是方塊電阻為10歐姆的ITO層并且陰極是方塊電阻為9.9歐姆的鐿薄層,即r在1附近。
然而,均質性增益還不是最優的,并且甚至并非對于所有OLED配置是確定的。
發明內容
同樣,本發明的目的在于一種有機電致發光二極管(稱作OLED)的設備,其包括具有第一主面的透明襯底,包括堆疊,所述堆疊以從所述第一面開始的該順序包括:
-(直接在第一面上或例如在亞層上)形成透明陽極的下電極,優選地包括至少一個導電層,陽極呈給定方塊電阻R1,尤其是R1小于30歐姆/方塊、甚至小于或等于15歐姆/方塊、或甚至10歐姆/方塊,所述陽極表面的特征尺寸優選地為至少2cm、甚至5cm,
-在所述陽極上的有機電致發光系統,
-形成陰極的上電極,其在有機電致發光系統上(甚至直接在所述系統上),優選地包括導電層,陰極呈給定方塊電阻R2,陰極優選地呈恒定的給定厚度,其中比率r=R2/R1從0.1至5,
所述陽極、有機電致發光系統和陰極于是限定了稱為活性的共同區(對應于照明表面減去可能的內部陽極接觸,如果其太不透明的話)。
OLED設備此外包括:
-第一適配陽極接觸,優選為延伸類型的甚至以多個(靠近的)點狀接觸的形式,
-第二適配陽極接觸,優選為延伸類型的甚至以多個(靠近的)點狀接觸的形式,其與第一適配接觸間隔并且相對,
第一和第二接觸形成被稱為第一陽極區域的陽極區域的兩條相對的邊(不相鄰),所述第一陽極區域此外由活性區的被稱為自由的第一邊緣以及由活性區的相對于第一自由邊緣的被稱為自由的第二邊緣所劃定,
-第一陰極電接觸,其為:
?????-被布置在活性區之上,部分地覆蓋第一陽極區域之上的陰極區域,
?????-給定的表面,稱作接觸表面,其小于活性區的面積和小于第一陽極區域的面積,
?????-在接觸表面的任何點處,從第一適配陽極接觸以及第二適配陽極接觸岔開。
對于第一適配接觸的(至少多數,甚至80%并且優選的對于)每個點B1,通過定義在所述點B1與接觸表面的最接近于所述點B1的點C1之間的距離D1,以及通過定義在所述點B1與第二適配接觸的點X1之間、經過C1的距離L1,因此定義以下準則:
-如果0.1≤r<1.75,則10%<D1/L1<50%,
-如果1.75≤r<2.5,則10%<D1/L1<45%,
-如果2.5≤r<3,則10%<D1/L1<40%,
-如果3≤r≤5,則10%<D1/L1<35%,
并且對于第二適配接觸的(至少多數,甚至80%并且優選的對于)每個點B2,通過定義在所述點B2與接觸表面的最接近于所述點B2的點C2之間的距離D2,以及通過定義在所述點B2與第一適配接觸的點X2之間、經過C2的距離L2,因此定義以下準則:
-如果0.1≤r<1.75,則10%<D2/L2<50%,
-如果1.75≤r<2.5,則10%<D2/L2<45%,
-如果2.5≤r<3,則10%<D2/L2<40%,
-如果3≤r≤5,則10%<D2/L2<35%。
OLED設備此外在有機電致發光系統之上、遠離第一面地包括覆蓋活性區的反射器。
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H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





