[發(fā)明專利]后向發(fā)射的OLED設(shè)備無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201280070918.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104137292A | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | V.謝里;F.利納爾;V.索維內(nèi) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 法國(guó)圣戈班玻璃廠 |
| 主分類號(hào): | H01L51/52 | 分類號(hào): | H01L51/52 |
| 代理公司: | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;劉春元 |
| 地址: | 法國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 法國(guó);FR |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)射 oled 設(shè)備 | ||
1.一種有機(jī)電致發(fā)光二極管、稱作OLED的設(shè)備(100至600’),其包括具有第一主面的透明襯底(10),包括堆疊,所述堆疊以從所述第一面開(kāi)始的該順序包括:
-形成透明陽(yáng)極(1)的下電極,陽(yáng)極呈給定方塊電阻R1,
-在所述陽(yáng)極上的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)(2),
-形成陰極(3)的上電極,其在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)上,包括導(dǎo)電層,陰極(3)呈給定方塊電阻R2,比率r=R2/R1從0.1至5,
所述陽(yáng)極、有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)和陰極于是限定了稱為活性的共同區(qū)(20)
所述OLED設(shè)備包括:
-第一稱為適配的陽(yáng)極接觸(41),
-第二稱為適配的陽(yáng)極接觸(41’),其與第一適配接觸間隔并且相對(duì),
所述第一和第二適配陽(yáng)極接觸(41、41’)形成陽(yáng)極(1)的第一區(qū)域的兩個(gè)相對(duì)的邊,所述陽(yáng)極的第一區(qū)域稱為第一陽(yáng)極區(qū)域(40、40’),此外由活性區(qū)(20)的被稱為自由的第一邊緣(23)以及由活性區(qū)(20)的相對(duì)于第一自由邊緣(23)的被稱為自由的第二邊緣(24)所劃定,
-第一陰極電接觸(5),其為:
?????-被布置在活性區(qū)(20)之上,部分地覆蓋第一陽(yáng)極區(qū)域(40)之上的陰極(3)的區(qū)域,
?????-給定的表面,稱作接觸表面,其小于活性區(qū)的面積和小于第一陽(yáng)極區(qū)域的面積,
?????-在接觸表面的任何點(diǎn)處,自第一適配陽(yáng)極接觸(41)以及第二適配陽(yáng)極接觸(41’)岔開(kāi)
對(duì)于第一適配接觸(41)的每個(gè)點(diǎn)B1,通過(guò)定義在所述點(diǎn)B1與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)B1的點(diǎn)C1之間的距離D1,以及通過(guò)定義在所述點(diǎn)B1與第二適配接觸(41’)的點(diǎn)X1之間、經(jīng)過(guò)C1的距離L1,因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果0.1≤r<1.75,則10%<D1/L1<50%,
-如果1.75≤r<2.5,則10%<D1/L1<45%,
-如果2.5≤r<3,則10%<D1/L1<40%,
-如果3≤r≤5,則10%<D1/L1<35%,
對(duì)于第二適配接觸(41’)的每個(gè)點(diǎn)B2,通過(guò)定義在所述點(diǎn)B2與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)B2的點(diǎn)C2之間的距離D2,以及通過(guò)定義在所述點(diǎn)B2與第一適配接觸(41)的點(diǎn)X2之間、經(jīng)過(guò)C2的距離L2,因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果0.1≤r<1.75,則10%<D2/L2<50%,
-如果1.75≤r<2.5,則10%<D2/L2<45%,
-如果2.5≤r<3,則10%<D2/L2<40%,
-如果3≤r≤5,則10%<D2/L2<35%,
并且所述OLED設(shè)備100在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)(2)之上、遠(yuǎn)離第一面(10)地包括覆蓋活性區(qū)(20)的反射器(6)。
2.根據(jù)前項(xiàng)權(quán)利要求所述的OLED設(shè)備(100至600’),其特征在于,接觸表面(5)自第一陽(yáng)極區(qū)域(40)的中心延伸向第一和第二陽(yáng)極接觸(41、41’)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’),其特征在于,接觸表面(5)是實(shí)心表面,呈柵格的表面。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’),其特征在于,第一陰極接觸(5)優(yōu)選地是相對(duì)于第一適配陽(yáng)極接觸(41)和相對(duì)于第二適配陽(yáng)極接觸(41’)而被定于中心的。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’),其特征在于,尤其是定于中心的第一陰極接觸(5)具有與第一陽(yáng)極區(qū)域(40)的表面和/或與活性區(qū)(20)的表面位似的表面。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’),其特征在于,
-如果0.1≤r<1.75,則20%≤D1/L1<50%并且20%≤D2/L2<50%,
-如果1.75≤r<2.5,則20%≤D1/L1≤40%并且20%≤D2/L2≤40%,
-如果2.5≤r<3,則20%≤D1/L1≤35%并且20%≤D2/L2≤35%,
-如果3≤r≤5,則15%≤D1/L1≤25%并且15%≤D2/L2≤25%。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





