[發(fā)明專利]包括小于溝道面積的活躍浮柵區(qū)面積的器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201280068671.0
• 申請(qǐng)日: 2012-04-30
• 公開（公告）號(hào): CN104067392B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: N.葛;A.L.格霍澤爾;C.S.霍;T.本杰明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠普發(fā)展公司;有限責(zé)任合伙企業(yè)
• 主分類號(hào): H01L27/115
• 分類號(hào): H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張凌苗;胡莉莉

1. 一種器件，包括：

漏極；

溝道，其圍繞漏極并且具有溝道面積；

浮柵，其包括具有活躍浮柵區(qū)面積的活躍浮柵區(qū)；以及

控制柵，其經(jīng)由控制電容耦合到活躍浮柵區(qū)，其中活躍浮柵區(qū)面積小于溝道面積。

2. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中浮柵包括至少一個(gè)不活躍浮柵區(qū)。

3. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中浮柵具有浮柵電容，并且活躍浮柵區(qū)具有活躍浮柵區(qū)電容，并且控制電容與活躍浮柵區(qū)電容的比大于控制電容與浮柵電容的比。

4. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中溝道具有溝道長(zhǎng)寬比，并且活躍浮柵區(qū)具有大于溝道長(zhǎng)寬比的活躍浮柵區(qū)長(zhǎng)寬比。

5. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中溝道具有溝道長(zhǎng)寬比并且溝道包括具有大于溝道長(zhǎng)寬比的活躍溝道區(qū)長(zhǎng)寬比的活躍溝道區(qū)。

6. 如權(quán)利要求1所述的器件，其中溝道包括具有大于溝道面積的活躍溝道區(qū)面積的活躍溝道區(qū)。

7. 一種集成電路，包括：

漏極；

溝道，其圍繞漏極并且具有溝道長(zhǎng)寬比；

浮柵，其包括具有活躍浮柵區(qū)長(zhǎng)寬比的活躍浮柵區(qū)；以及

控制柵，其經(jīng)由控制電容耦合到活躍浮柵區(qū)，其中活躍浮柵區(qū)長(zhǎng)寬比大于溝道長(zhǎng)寬比。

8. 如權(quán)利要求7所述的集成電路，其中溝道具有溝道面積，并且活躍浮柵區(qū)具有小于溝道面積的活躍浮柵區(qū)面積。

9. 如權(quán)利要求7所述的集成電路，其中控制電容與活躍浮柵區(qū)電容的比大于控制電容與浮柵電容的比。

10. 如權(quán)利要求7所述的集成電路，其中浮柵包括在不活躍溝道區(qū)之上的至少一個(gè)不活躍浮柵區(qū)。

11. 如權(quán)利要求7所述的集成電路，其中溝道包括具有大于溝道長(zhǎng)寬比的活躍溝道區(qū)長(zhǎng)寬比的活躍溝道區(qū)。

12. 一種制造器件的方法，其包括：

以具有溝道面積的溝道圍繞漏極；

將浮柵布置在溝道之上；

將第一介電層布置在浮柵上；

蝕刻在浮柵的第一部分上和在浮柵的第二部分上的第一介電層；

將第一金屬布置在浮柵上來提供在浮柵的第一部分處的柵極接觸；以及

蝕刻第一金屬以蝕刻掉在浮柵的第二部分上的第一金屬并且以蝕刻掉浮柵的第二部分，以提供具有小于溝道面積的活躍浮柵區(qū)面積的活躍浮柵區(qū)。

13. 如權(quán)利要求12所述的方法，包括：

將第二介電層布置在第一金屬上；以及

將第二金屬布置在第二介電層上來提供控制柵以及在第一金屬和第二金屬之間的控制電容。

14. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中溝道具有溝道長(zhǎng)寬比，并且蝕刻第一金屬來蝕刻掉浮柵的第二部分，以提供大于溝道長(zhǎng)寬比的活躍浮柵區(qū)長(zhǎng)寬比。

15. 如權(quán)利要求12所述的方法，包括：

蝕刻在浮柵的第三部分上的第一介電層；

將第一金屬布置在浮柵的第三部分上；以及

蝕刻第一金屬來蝕刻掉在浮柵的第三部分上的第一金屬并且來蝕刻掉浮柵的第三部分，以提供不活躍浮柵區(qū)。