[發明專利]太陽能電池設備有效
| 申請號: | 201280068149.2 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN104067399B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | 曹豪健 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 設備 | ||
技術領域
本發明涉及一種太陽能電池設備。
背景技術
太陽能電池(或光伏電池)是直接將太陽光轉換成電的太陽能發電的核心元件。
例如,如果能量大于半導體的帶隙能量的太陽光入射到具有PN結結構的太陽能電池上,就會產生電子空穴對。由于PN結部分中形成的電場,電子和空穴分別聚集到N層和P層,所以在N層與P層之間產生了光電壓。在這種情況下,如果負載連接到太陽能電池兩端的電極,電流就會流過太陽能電池。
近來,隨著能源消耗的增長,開發了將太陽光轉化成電能的太陽能電池。
具體地講,CIGS基太陽能電池被廣泛地使用,其中CIGS基太陽能電池是PN異質結裝置,所述PN異質結裝置包括玻璃基板的基板結構、金屬背電極層、P型CIGS基光吸收層、高電阻緩沖層和N型窗口層。
人們進行了各種研究來提高太陽能電池的電氣特性,例如,低電阻和高透光率。
太陽能電池模塊中要求功率隨時間函數變化的穩定性。要求穩定性的主要原因是水分滲入太陽能電池中,從而對太陽能電池造成損壞。
發明內容
技術問題
實施例提供了一種太陽能電池設備,所述太陽能電池設備能夠防止由于太陽能電池暴露于水分中所造成的功率降低。
技術方案
根據實施例,提供了一種太陽能電池設備,包括:下基板;所述下基板上的太陽能電池;以及所述太陽能電池上的上基板,其中,所述下基板和所述上基板的至少一個包括延伸到剩余的基板的凸起。
有益效果
在根據實施例的太陽能電池模塊中,下基板和上基板包括耦合部分,以防止太陽能電池暴露于水分中,從而可以提高設備的使用壽命和可靠性。
另外,根據時間變化的功率降低被最小化使得可以提高年發電量。
附圖說明
圖1是示出了根據實施例的太陽能電池模塊的截面圖;
圖2是示出了圖1的A區域的放大截面圖;以及
圖3至圖5是示出了根據其他實施例的圖1的A區域的放大截面圖。
具體實施方式
在實施例的描述中,將會理解的是,當面板、條、框架、基板、凹槽或薄膜被稱為在另一個面板、另一個條、另一個框架、另一個基板、另一個凹槽或另一個薄膜上或下時,它可以直接地或間接地在另一個面板、另一個條、另一個框架、另一個基板、另一個凹槽或另一個薄膜上,或者還可以存在一個或多個中間層。已經參照附圖描述了層的這種位置。為了說明的目的,可以夸大附圖所示的元件大小,并且可以不完全反映實際大小。
圖1是示出了根據實施例的太陽能電池模塊的截面圖。圖2是示出了圖1的A區域的放大截面圖。圖3至圖5是示出了根據其他實施例的圖1的A區域的放大截面圖。
參見圖1和圖2,根據實施例的太陽能電池模塊包括下基板100、形成在下基板100上的太陽能電池200、形成在太陽能電池200上的保護層300以及形成在保護層300上的上基板400。
下基板100可以是絕緣體。下基板100可以是玻璃基板、塑料基板或金屬基板。具體地講,下基板100可以是鈣鈉玻璃基板。下基板100可以是透明的。下基板100可以是剛性的或柔性的。
太陽能電池200可以形成在下基板100上并且具有平板形狀。例如,太陽能電池200可以具有方形平板形狀。太陽能電池200可以包括背電極層、光吸收層、緩沖層和窗口層。太陽能電池200接收太陽光并且將太陽光轉化成電能。
框架可以分別地形成在太陽能電池200的側面以接收太陽能電池200。例如,框架可以分別地設置在太陽能電池200的四個側面。例如,用作框架的材料可以包括例如鋁的金屬。
保護太陽能電池200的保護層300可以分別地形成在太陽能電池200的上部。上基板400可以形成在保護層300上,并且可以包括鋼化玻璃。這些部件通過層壓處理彼此形成為一體。
上基板400和下基板100保護太陽能電池200免受外部環境影響。上基板400和下基板100可以具有多層結構,包括:用于防止水分和氧氣滲入的層;用于防止化學腐蝕的層;以及具有絕緣特性的層。
凸起可以形成在上基板400和下基板100上。詳細地講,第一凸起150可以形成在下基板100上,并且第二凸起450可以形成在上基板400上。
第一凸起150和第二凸起450可以彼此在垂直方向重疊或在垂直方向不重疊。當第一凸起150和第二凸起450彼此在垂直方向重疊時,第一凸起150的上表面與第二凸起450的下表面接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





