[發明專利]太陽能電池設備有效
| 申請號: | 201280068149.2 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN104067399B | 公開(公告)日: | 2016-11-30 |
| 發明(設計)人: | 曹豪健 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 許向彤;陳英俊 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 設備 | ||
1.一種太陽能電池設備,包括:
下基板;
所述下基板上的太陽能電池;以及
所述太陽能電池上的上基板,
其中,所述下基板和所述上基板中的至少一個包括延伸到另一個基板的凸起。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池設備,其中,所述凸起是由與接觸所述凸起的基板的材料完全相同的材料形成的。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池設備,進一步包括:
所述下基板上的第一凸起;以及
所述上基板上的第二凸起,
其中,所述第一凸起和所述第二凸起彼此在垂直方向不重疊。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池設備,進一步包括:
所述下基板上的第一凸起;以及
所述上基板上的第二凸起,
其中所述第一凸起的上表面與所述第二凸起的下表面接觸。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池設備,其中,第一凸起的側面與第二凸起的側面接觸。
6.根據權利要求1所述的太陽能電池設備,其中,第一凸起的側面與第二凸起的側面間隔開。
7.根據權利要求1所述的太陽能電池設備,其中,凸起形成在所述下基板和所述上基板的至少一個上,并且所述凸起所插入的凹槽形成在剩余的基板上。
8.根據權利要求7所述的太陽能電池設備,其中,所述凸起具有金字塔形、四邊金字塔形和半球形中的至少一種。
9.根據權利要求7所述的太陽能電池設備,進一步包括與所述凸起的側面接觸的側面耦合部分。
10.根據權利要求9所述的太陽能電池設備,其中,所述側面耦合部分包括側面凸起,所述側面凸起的側面與所述凸起的側面接觸,所述側面凸起的上表面和下表面分別地與所述上基板和所述下基板接觸。
11.一種太陽能電池設備,包括:
包括凹槽的下基板;
所述下基板上的太陽能電池;以及
所述太陽能電池上的上基板,所述上基板包括與所述凹槽在垂直方向重疊的凸起。
12.根據權利要求11所述的太陽能電池設備,其中,所述凸起是由與所述上基板的材料完全相同的材料形成的。
13.根據權利要求11所述的太陽能電池設備,進一步包括:
所述下基板與所述上基板之間的保護層。
14.根據權利要求11所述的太陽能電池設備,其中,所述上基板的所述凸起與所述下基板的所述凹槽的下表面接觸。
15.根據權利要求11所述的太陽能電池設備,其中,所述凸起的側面與所述凹槽的側面接觸。
16.根據權利要求11所述的太陽能電池設備,其中,所述凸起的側面與所述凹槽的側面間隔開。
17.根據權利要求11所述的太陽能電池設備,其中,所述凸起具有金字塔形、四邊金字塔形和半球形中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





