[發明專利]低彎曲損耗光纖有效
| 申請號: | 201280068136.5 | 申請日: | 2012-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN104169761B | 公開(公告)日: | 2017-07-14 |
| 發明(設計)人: | D·C·布克班德;M-J·李;P·坦登 | 申請(專利權)人: | 康寧股份有限公司 |
| 主分類號: | G02B6/036 | 分類號: | G02B6/036;G02B6/028 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司31100 | 代理人: | 姬利永 |
| 地址: | 美國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彎曲 損耗 光纖 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求2011年11月30日提交的美國臨時申請序列號No.61/564902、2012年5月31提交的美國臨時申請序列號No.13/485028、以及2012年11月19日提交的美國申請序列號No.13/680676的優先權,本申請基于這些申請的內容并且這些申請的內容通過引用而整體結合于此。
技術領域
本申請涉及具有低彎曲損耗的光纖。
技術背景
對于低彎曲損耗光纖、特別是對于用在所謂“接入(access)”和光纖到駐地(FTTx)光網絡中使用的光纖,存在需求。可以以減少通過光纖傳輸的光信號的彎曲損耗的方式,在這樣的網絡中部署光纖。使用光纖的一些應用或光部件可強加引起彎曲損耗的諸如緊密彎曲半徑、光纖壓縮等等之類的物理要求。這些應用和/或組件包括將光纖部署在光分接纜線組件、具有工廠安裝的終端系統(FITS)和膨脹圈的分配纜線、位于連接饋送器和分配纜線的機柜內的小彎曲半徑多端口、以及分配和分接纜線之間的網絡接入點中的跳接器中。在一些單模光纖設計中難以在較小和較大彎曲直徑處都實現在1550nm處的低彎曲損耗。
發明內容
根據某些實施例,一種單模光纖包括:
漸變折射率的中芯區,具有外半徑r1、具有相對折射率Δ1、最大相對折射率Δ1最大、且具有阿爾法分布,α芯,其中0.5≤α芯≤4;
包層區,包括
(a)溝槽區,圍繞所述漸變折射率中芯區且包括隨著半徑增加變得更負的相對折射率德爾塔Δ3,所述溝槽區具有內半徑r2、外半徑r3>10微米、和最小相對折射率Δ3最小,以使得Δ1最大>Δ3最小、r3≥r3a、且0.5≤(r3a-r2)/(r3-r2)≤1,其中r3a是到光纖中心線的距離,其中Δ3首先到達值Δ3最小,所述溝槽區具有阿爾法分布,αt,以使得0.5≤αt≤5,且
(b)外包層區,圍繞所述溝槽區且具有相對折射率Δ4,且Δ3最小<Δ4。
在至少一些實施例中,單模光纖還包括位于漸變折射率中芯區和溝槽區之間(即,在漸變折射率中芯區和第二內包層區之間,第二內包層區具有隨著半徑增加變得更負的相對折射率德爾塔)的第一內包層區。
根據某些實施例,一種單模光纖包括:
漸變折射率的摻雜氧化鍺的中芯區,具有外半徑r1、具有相對折射率Δ1、最大相對折射率Δ1最大、且具有阿爾法分布,α芯,其中0.5≤α芯≤4;
包層區,包括(i)第一內包層區,具有外半徑r2≤10微米、和相對折射率Δ2且0.65≤r1/r2<1;(ii)和第二內包層區,具有外半徑r3>10微米且包括相對折射率Δ3和最小相對折射率Δ3最小,其中所述第二內包層區具有隨著半徑增加變得更負的相對折射率德爾塔,其中第二內包層區具有阿爾法分布,αt,以使得0.5≤αt≤5;(iii)外包層區,圍繞第二內包層區且包括相對折射率Δ4,其中Δ1最大>Δ2>Δ3最小,且Δ3最小<Δ4;且其中0.5≤(r3a-r2)/(r3-r2)≤1。
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