[發明專利]低彎曲損耗光纖

有效

• 申請號: 201280068136.5
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN104169761B
• 公開（公告）日: 2017-07-14
• 發明（設計）人: D·C·布克班德;M-J·李;P·坦登
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: G02B6/036
• 分類號: G02B6/036;G02B6/028
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 姬利永

1.一種單模光纖，包括：

漸變折射率中芯區，具有外半徑r₁、具有相對折射率Δ₁、最大相對折射率Δ_1最大、且具有阿爾法分布，α_芯，0.5≤α_芯≤4，其中所述α_芯遵循下式：Δ₁(r)＝Δ₁(r_o)(1-[|r-r_o|/(r_1o-r_o)]^α(芯))，其中r是半徑，r_o是Δ₁(r)為最大值的點，且r_1o是Δ₁(r)％為零的點；

包層區，包括

(a)溝槽區，圍繞所述漸變折射率中芯區且包括隨著半徑增加變得更負的相對折射率德爾塔Δ₃分布，所述溝槽區具有內半徑r₂、外半徑r₃>10微米、和最小相對折射率Δ_3最小，以使得Δ_1最大>Δ_3最小、r₃≥r_3a、且0.5≤(r_3a-r₂)/(r₃-r₂)≤1，其中r_3a是與光纖中心線的距離且此處Δ₃首次達到值Δ_3最小，所述溝槽區具有阿爾法分布，α_t，以使得0.5≤α_t≤5，其中所述α_t遵循下式：以及

(b)外包層區，圍繞所述溝槽區且具有相對折射率Δ₄，且Δ_3最小<Δ₄，其中所述包層區還包括圍繞所述中芯區的第一內包層區，所述第一內包層區具有相對折射率德爾塔Δ₂且位于所述中芯區和所述溝槽區之間，以使得所述第一內包層區的外半徑等于所述溝槽區的內半徑r₂，且r₂≤10微米，且0.65≤r₁/r₂<1，所述第一內包層區具有相對折射率Δ₂；且Δ_1最大>Δ₂>Δ_3最小，且其中層的相對折射率Δ由下式定義：Δ％＝100x(n_i²–n_c²)/2n_i²，其中n_c是所述外包層區的折射率。

2.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，0.08％≤│Δ₄-Δ_3最小│≤0.7％且Δ_3最小和Δ₂之間的絕對差異大于0.03％，溝槽區的體積V_3a3的絕對值為5％Δ微米²≤V_3a3≤105％Δ微米²，其中且Δ_(4-3)是折射率差異(Δ₄-Δ₃)，并且所述光纖表現出小于或等于1260nm的22m光纜截止，且具有零色散波長λo且1300nm≤λo≤1324nm。

3.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，0.08％≤│Δ₄-Δ_3最小│≤0.25％。

4.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，0.25％≤│Δ₄-Δ_3最小│≤0.55％。

5.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，漸變折射率中芯區包括摻雜氧化鍺的氧化硅。

6.如權利要求1所述的光纖，其特征在于，漸變折射率中芯區包括摻雜氟的氧化硅且沒有氧化鍺。

7.如權利要求6所述的光纖，其特征在于，漸變折射率中芯區包括鉀。