[發明專利]透明導電膜的制造方法

在審

• 申請號: 201280068061.0
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN104081473A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 拝師基希;山本佑輔;梨木智剛;佐佐和明
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;B32B9/00;C23C14/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張濤

技術領域

本發明涉及透明導電膜的制造方法。特別是，本發明涉及光透射性優異且電阻率較小的透明導電膜的制造方法。

背景技術

作為透明導電膜的制造方法，已知有磁控濺射法。該方法是通過使等離子體與靶材碰撞，使靶粒子向基板飛散，并在基板上堆積靶粒子進行成膜的方法，特別是在如下方面具有特征，即，在靶材附近產生磁場，增加靶材附近的等離子體的密度，由此，使成膜速度提高。

專利文獻1公開了一種方法，作為實施例，通過將靶材上的水平方向磁場設為40mT的磁控濺射法，在基材上形成結晶性薄膜。該方法是以一個工序進行成膜的方法，該工序如下：在低壓環境下，使作為靶材的二氧化鈦堆積在基材上，同時使其結晶化。但是，該方法存在如下問題：無法使用氧化銦錫的靶材得到光透射性優異且電阻率較小的透明導電膜。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2007-308728

發明內容

發明要解決的問題

本發明的目的在于，提供一種光透射性優異且電阻率較小的透明導電膜的制造方法。

解決問題的方法

發現在使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序中增大水平方向磁場時，在使該包含非晶質部分的氧化銦錫結晶化的工序后，結晶物質的結晶粒徑變大。因此，完成可以得到光透射性優異且電阻率較小(導電率優異)的透明導電膜，以至完成了本發明。

本發明提供一種透明導電膜的制造方法，其是具備膜基材、和形成于所述膜基材上的結晶化的氧化銦錫層的透明導電膜的制造方法，該方法包括：在使用氧化銦錫作為靶材的濺射裝置內放入所述膜基材，通過所述靶材上的水平方向磁場為50mT以上的磁控濺射法，使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積在所述膜基材上的工序；在所述將包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序之后，對所述包含非晶質部分的氧化銦錫進行加熱處理，由此使包含所述非晶質部分的所述氧化銦錫結晶化，形成所述結晶化的氧化銦錫層的工序。優選的是，所述使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序在比大氣壓低的氣壓下實施，所述形成結晶化的氧化銦錫層的工序在大氣壓下實施。例如，優選所述使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序在0.1Pa～1Pa的氣壓下進行。

所述水平方向磁場優選為80mT～200mT，進一步優選為100mT～200mT。所述使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序優選在40℃～200℃的溫度下實施，進一步優選在40℃～150℃的溫度下實施。另外，所述形成結晶化的氧化銦錫層的工序優選在120℃～200℃的溫度下實施。所述使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序的實施時間典型性地為1分鐘以下。另外，所述形成結晶化的氧化銦錫層的工序的實施時間典型性地為10分鐘～90分鐘。

所述膜基材優選由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚環烯烴或聚碳酸酯中的任一種制成。優選所述膜基材在所述氧化銦錫的堆積側表面具備易粘接層。另外，優選所述膜基材在所述氧化銦錫的堆積側表面具備折射率調整層。另外，還優選所述膜基材在所述氧化銦錫的堆積側表面具備硬涂層。另外，優選所述結晶化的氧化銦錫層的厚度為20nm～50nm。還優選所述膜基材的厚度為15μm～50μm。

發明的效果

根據本發明，可以制造具備膜基材和平均結晶粒徑典型性地為150nm以上的氧化銦錫層的透明導電膜。平均結晶粒徑優選為175nm～250nm。

附圖說明

圖1是示出使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的濺射裝置的概略圖；

圖2是示出使氧化銦錫結晶化的加熱裝置的概略圖。

符號說明

100??濺射裝置

104??腔室

108??靶材

112??膜基材

116??抽出輥

120??成膜輥

124??卷取輥

128??導向輥

132??導向輥

136??直流電源

140??冷卻載物臺

144??磁鐵

200??加熱裝置

204??膜基材

208??抽出輥

212??加熱室

216??卷取輥

220??腔室

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的一個實施方式進行說明。圖1是示出用于實施使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序的濺射裝置100的概略圖。