[發明專利]透明導電膜的制造方法

在審

• 申請號: 201280068061.0
• 申請日: 2012-11-28
• 公開（公告）號: CN104081473A
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 拝師基希;山本佑輔;梨木智剛;佐佐和明
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01B13/00
• 分類號: H01B13/00;B32B9/00;C23C14/08
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 張濤

1.一種透明導電膜的制造方法，其是具備膜基材、和形成于所述膜基材上的結晶化的氧化銦錫層的透明導電膜的制造方法，

該方法包括：

在使用氧化銦錫作為靶材的濺射裝置內放入所述膜基材，通過所述靶材上的水平方向磁場為50mT以上的磁控濺射法，使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積在所述膜基材上的工序；以及

在所述將包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序之后，對所述包含非晶質部分的氧化銦錫進行加熱處理，由此使包含所述非晶質部分的所述氧化銦錫結晶化，形成所述結晶化的氧化銦錫層的工序。

2.根據權利要求1所述的透明導電膜的制造方法，其中，

所述使包含非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序在低于大氣壓的氣壓下實施，

所述形成結晶化的氧化銦錫層的工序在大氣壓下實施。

3.根據權利要求1或2所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述水平方向磁場為80mT～200mT。

4.根據權利要求1或2所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述水平方向磁場為100mT～200mT。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，使包含所述非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序在40℃～200℃的溫度下實施。

6.根據權利要求1～4中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，使包含所述非晶質部分的氧化銦錫堆積的工序在40℃～150℃的溫度下實施。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述形成結晶化的氧化銦錫層的工序在120℃～200℃的溫度下實施。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述膜基材由聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚環烯烴或聚碳酸酯中的任一種制成。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述膜基材在所述氧化銦錫的堆積側表面具備易粘接層。

10.根據權利要求1～8中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述膜基材在所述氧化銦錫的堆積側表面具備折射率調整層。

11.根據權利要求1～8中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述膜基材在所述氧化銦錫的堆積側表面具備硬涂層。

12.根據權利要求1～11中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述結晶化的氧化銦錫層的厚度為175nm～250nm。

13.根據權利要求1～12中任一項所述的透明導電膜的制造方法，其中，所述膜基材的厚度為15μm～50μm。