[發(fā)明專利]靜電夾頭

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280068046.6
• 申請日: 2012-06-27
• 公開（公告）號: CN104067382B
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小野浩司
• 申請（專利權(quán)）人: 京瓷株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;B23Q3/15;H02N13/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 樊建中

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及使用于PVD裝置、CVD裝置、離子鍍膜裝置、蒸鍍裝置等成膜裝置及曝光裝置、刻蝕裝置的靜電夾頭(electrostatic chuck)。

背景技術(shù)

以往，在PVD裝置、CVD裝置、離子鍍膜裝置、蒸鍍裝置等成膜裝置及曝光裝置、刻蝕裝置中，為了精度良好地固定硅晶片等被加工物，將其強(qiáng)制性地吸著于精加工成平坦且平滑的板狀體的表面，作為該吸著手段使用利用了靜電吸著力的靜電夾頭。

使用于這些成膜裝置及刻蝕裝置的靜電夾頭為將由陶瓷構(gòu)成的板狀的陶瓷基體的一個(gè)主面(一個(gè)最大的面)設(shè)為載置面(吸著面)的裝置，例如在陶瓷基體的內(nèi)部或另一主面(另一個(gè)最大的面)具備吸著用電極，通過向吸著用電極施加直流電壓而在與被加工物之間顯現(xiàn)由電介質(zhì)極化引起的庫侖力或由微少的漏電流引起的約翰遜-拉貝克(Johnson-Rahbeck)力等靜電吸著力，能夠?qū)⒈患庸の飶?qiáng)制性地吸著固定于載置面。

需要說明的是，在靜電夾頭上，將用于使被加工物從載置面脫離的升降銷(lift pin)以能夠從與被加工物的周邊部對應(yīng)的的載置面的周邊部突出自如的方式設(shè)置。

然而，可知在用于等離子體處理的以往的靜電夾頭中，產(chǎn)生在解除向吸著用電極的直流電壓施加后吸著力也殘留、所謂的殘留吸著的狀況。 該殘留吸著起因于從等離子體向被加工物注入電子時(shí)在陶瓷基體產(chǎn)生固定電荷(空穴)且在切斷直流電壓后固定電荷(空穴)也殘留于陶瓷基體。

在此，在殘留吸著力較大的狀態(tài)下用升降銷要使被加工物從載置面脫離時(shí)，有使被加工物變形或破損的問題。

于是，在靜電夾頭的載置面設(shè)置與吸著的晶片相接的帶電控制用電極而在解除吸著時(shí)使其作為接地電極發(fā)揮作用的手法被公開(參照專利文獻(xiàn)1)。通過使用這樣的除去固定電荷的方法，能夠抑制被加工物的變形或破損。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2008-251737號公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的課題

然而，在專利文獻(xiàn)1中所述的靜電夾頭在反復(fù)進(jìn)行多次成膜等處理時(shí)，殘留吸著逐漸增加，有晶片不容易脫離的問題。

本發(fā)明是鑒于上述的課題而發(fā)明的，其目的在于提供一種不容易產(chǎn)生殘留吸著隨時(shí)間增加的靜電夾頭。

用于解決課題的手段

本發(fā)明為一種靜電夾頭，其特征在于，包括陶瓷基體和設(shè)置于該陶瓷基體的內(nèi)部或下表面的吸著用電極，且在所述陶瓷基體的自上表面至所述吸著用電極的區(qū)域中具有Mn的含量為1×10^-4質(zhì)量％以下的部分。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，由于殘留吸著的隨時(shí)間增加被抑制，因此晶片的脫離變得容易，能夠?qū)崿F(xiàn)被加工物容易脫離的靜電夾頭。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的靜電夾頭的一實(shí)施方式的圖，(a)是靜電夾頭的上表面圖，(b)是靜電夾頭及被加工物的縱剖視圖。

圖2(a)及(b)是表示本發(fā)明的靜電夾頭的另一實(shí)施方式的縱剖視圖。

圖3是表示本發(fā)明的靜電夾頭的另一實(shí)施方式的圖，(a)是靜電夾頭的上表面圖，(b)是靜電夾頭及被加工物的縱剖視圖。

圖4(a)、(b)、(c)及(d)是表示本發(fā)明的靜電夾頭的另一實(shí)施方式的縱剖視圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖對本發(fā)明的靜電夾頭的一實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。

圖1是表示本發(fā)明的靜電夾頭的一實(shí)施方式的圖，(a)是靜電夾頭的上表面圖，(b)是靜電夾頭及被加工物的縱剖視圖。

圖1所示例子的靜電夾頭1包括陶瓷基體2和設(shè)置于陶瓷基體2的內(nèi)部或下表面的吸著用電極3，且在陶瓷基體2的自上表面至吸著用電極3的區(qū)域中具有Mn的含量為1×10^-4質(zhì)量％以下的部分。

具體而言，將圖1所示的陶瓷基體2形成為具有與硅晶片等被加工物A相同程度的大小的圓盤狀，作為一個(gè)主面的上表面成為被加工 物A的載置面21。

并且，在圖1中，在陶瓷基體2的內(nèi)部埋設(shè)有由鉑、鎢等金屬構(gòu)成的吸著用電極3。該吸著用電極3也可以以露出的方式設(shè)置于陶瓷基體2的作為另一主面的下表面，但如圖所示優(yōu)選埋設(shè)于陶瓷基體2中。

引線8與吸著用電極3連接，吸著用電極3經(jīng)由引線8與直流電源9連接。另一方面，吸著于載置面21的被加工物A與接地(earth)直接或由等離子體進(jìn)行電連接。由此，吸著用電極3與被加工物A之間顯現(xiàn)靜電吸著力，從而達(dá)成吸著固定。